Первая статья о спецификации OCP HBF: SK hynix и SanDisk представили первую спецификацию OCP HBF

SK hynix и SanDisk представили первую спецификацию OCP HBF

4 августа 2026 года на конференции FMS 2026 (Future Memory and Storage), прошедшей в Санта-Кларе, штат Калифорния, США, компании SK hynix и SanDisk официально представили первую техническую спецификацию OCP для флэш-памяти с высокой пропускной способностью (HBF).

Что такое память сервера? Изображение к статье «Что такое память сервера? Руководство по оперативной памяти сервера»

Что такое серверная память? Руководство по оперативной памяти серверов

Серверная память — это высокоскоростная динамическая оперативная память, специально разработанная для серверов и оборудования центров обработки данных. Она служит буфером для обмена данными между процессором и устройствами постоянного хранения, такими как жесткие диски и твердотельные накопители.

Что такое SLC-кэш? Изображение к статье «Что такое SLC-кэш? Как он повышает производительность SSD»

Что такое кэш SLC? Как он повышает производительность SSD?

Кэш SLC (Single-Level Cell Cache) также широко известен как псевдо-SLC-кэш или имитированный SLC-кэш. Это не отдельный аппаратный кэш-чип на печатной плате SSD. На самом деле это программная оптимизация, реализуемая прошивкой контроллера.

Становится ли SSD медленнее со временем? Изображение к статье «Становится ли SSD медленнее со временем?»

Снижается ли скорость работы SSD со временем?

Производительность SSD-накопителей действительно меняется с течением времени, однако большая часть замедления, которое пользователи замечают в повседневной эксплуатации, не связана со старением аппаратного обеспечения. Основная часть потери производительности обусловлена обратимыми факторами, такими как недостаток свободного места на диске, исчерпание кэша SLC или неправильные настройки системы.

Статья о концепции Samsung zHBM с иллюстрацией: Samsung zHBM: многослойная 3D-память устраняет «узкое место» в работе ИИ

Samsung zHBM: трехмерная многоуровневая память устраняет «узкое место» в работе ИИ

4 августа 2026 года компания Samsung Electronics официально представила первую в отрасли концептуальную модель zHBM, а также решение для вертикального слоевого размещения флэш-памяти NAND под названием zNAND‑O. Разработанная для сверхмасштабных вычислений в области искусственного интеллекта следующего поколения, zHBM представляет собой революционную архитектуру памяти

滚动至顶部

Свяжитесь с нами

Заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.

Продукт контактной формы