Le 4 août 2026, lors du salon FMS 2026 (Future Memory and Storage) qui s'est tenu à Santa Clara, en Californie (États-Unis), SK hynix et SanDisk ont officiellement publié la première spécification technique OCP relative à la technologie Flash à large bande passante (HBF).
La mémoire serveur est une mémoire vive dynamique à haute vitesse spécialement conçue pour les serveurs et les équipements de centres de données. Elle sert de tampon d'échange de données entre le processeur et les supports de stockage persistants, tels que les disques durs et les disques SSD.
Le cache SLC, acronyme de « Single-Level Cell Cache », est également souvent appelé « cache pseudo-SLC » ou « cache SLC simulé ». Il ne s'agit pas d'une puce de cache matérielle indépendante située sur la carte du SSD. Il s'agit plutôt d'une optimisation logicielle mise en œuvre par le micrologiciel du contrôleur.
Les SSD subissent effectivement des variations de performances au fil de leur utilisation, mais la plupart des ralentissements constatés au quotidien ne sont pas dus au vieillissement du matériel. La majeure partie de la perte de performances provient de facteurs réversibles, tels qu’un espace disque insuffisant, un cache SLC saturé ou des paramètres système inadaptés.
Le 4 août 2026, Samsung Electronics a officiellement dévoilé le premier prototype zHBM du secteur, ainsi qu’une solution d’empilement vertical pour la mémoire flash NAND baptisée zNAND‑O. Conçue pour le calcul IA à très grande échelle de nouvelle génération, la technologie zHBM représente une architecture mémoire révolutionnaire.
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