في 4 أغسطس 2026، خلال مؤتمر FMS 2026 (Future Memory and Storage)، الذي عُقد في سانتا كلارا، كاليفورنيا، الولايات المتحدة الأمريكية، أطلقت شركتا SK hynix وSanDisk رسميًا أول مواصفات تقنية تابعة لمبادرة OCP الخاصة بذاكرة الفلاش ذات النطاق الترددي العالي (HBF).
ذاكرة الخادم هي ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية عالية السرعة مصممة خصيصًا للخوادم ومعدات مراكز البيانات. وهي تعمل كذاكرة مؤقتة لتبادل البيانات بين وحدة المعالجة المركزية (CPU) ووسائط التخزين الدائمة مثل محركات الأقراص الصلبة ومحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة.
يُشار إلى ذاكرة التخزين المؤقتة SLC اختصارًا لـ «ذاكرة التخزين المؤقتة ذات الخلايا أحادية المستوى» (Single-Level Cell Cache)، وتُعرف أيضًا باسم ذاكرة التخزين المؤقتة «الزائفة» SLC أو ذاكرة التخزين المؤقتة SLC «المحاكاة». وهي ليست شريحة ذاكرة تخزين مؤقتة مستقلة على لوحة دوائر SSD. بل هي تحسين برمجي يتم تنفيذه بواسطة البرنامج الثابت لوحدة التحكم.
تشهد محركات الأقراص الصلبة (SSD) تغيرات في الأداء مع الاستخدام، لكن معظم التباطؤ الذي يلاحظه المستخدمون في الاستخدام اليومي لا يرجع إلى تقادم الأجهزة. بل إن معظم فقدان الأداء ينجم عن عوامل قابلة للعلاج، مثل عدم كفاية مساحة القرص، أو استنفاد ذاكرة التخزين المؤقتة SLC، أو إعدادات النظام غير الصحيحة.
في 4 أغسطس 2026، كشفت شركة سامسونج للإلكترونيات رسميًا عن أول نموذج مبدئي لتقنية zHBM في القطاع، إلى جانب حل التكديس الرأسي لذاكرة فلاش NAND المسمى zNAND‑O. وقد صُممت تقنية zHBM خصيصًا لحوسبة الذكاء الاصطناعي فائقة النطاق من الجيل التالي، وهي تمثل بنية ذاكرة رائدة
املأ النموذج أدناه، وسنتواصل معك قريباً.
