El 4 de agosto de 2026, en el FMS 2026 (Future Memory and Storage), celebrado en Santa Clara, California (EE. UU.), SK hynix y SanDisk presentaron oficialmente la primera especificación técnica de la OCP para la memoria flash de alto ancho de banda (HBF).
La memoria de servidor es una memoria dinámica de acceso aleatorio (RAM) de alta velocidad diseñada específicamente para servidores y equipos de centros de datos. Actúa como búfer de intercambio de datos entre la CPU y los dispositivos de almacenamiento persistente, como los discos duros y las unidades de estado sólido.
La caché SLC son las siglas de «Single-Level Cell Cache» y también se conoce comúnmente como caché pseudo-SLC o caché SLC simulada. No se trata de un chip de caché de hardware independiente situado en la placa de circuito del SSD, sino de una optimización de software implementada por el firmware del controlador.
Es cierto que el rendimiento de los SSD varía con el uso, pero la mayor parte de la ralentización que se nota en el día a día no se debe al envejecimiento del hardware. La mayor parte de la pérdida de rendimiento se debe a factores reversibles, como la falta de espacio en disco, el agotamiento de la caché SLC o una configuración inadecuada del sistema.
El 4 de agosto de 2026, Samsung Electronics presentó oficialmente el primer prototipo de zHBM del sector, junto con una solución de apilamiento vertical para memoria flash NAND denominada zNAND‑O. Diseñada para la computación de IA a gran escala de próxima generación, la zHBM representa una arquitectura de memoria revolucionaria.
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