La HBM si differenzia dalla memoria DDR tradizionale per il suo design di interconnessione verticale 3D TSV (Through-Silicon Via). Più die di DRAM sono impilati verticalmente e collegati attraverso vias di silicio, quindi impacchettati insieme a un die logico (tipicamente una GPU o un acceleratore AI) su un interposer di silicio.

Secondo quanto riportato dal pubblico, il gigante delle memorie flash SanDisk ha annunciato un aumento significativo dei prezzi contrattuali delle memorie NAND flash per il mese di novembre, con un incremento fino a 50%. Questa notizia ha immediatamente attirato l'attenzione dell'intera filiera dello storage e ha portato il settore a riconsiderare le future tendenze del mercato.

Possiamo immaginare un'unità SSD come una città intelligente gestita in modo efficiente. I chip NAND flash che memorizzano i dati sono come i terreni e gli edifici della città, che forniscono lo spazio fisico per l'archiviazione dei dati. Il controller dell'SSD è come il governo della città e il centro di controllo del traffico.

High-Bandwidth Flash non è un supporto di memorizzazione completamente nuovo, ma piuttosto un'intelligente innovazione architettonica. L'idea di base è quella di combinare la memoria flash 3D NAND comunemente presente nella nostra vita quotidiana (utilizzata nei telefoni e nelle unità a stato solido) con l'avanzata tecnologia di packaging e interconnessione dell'HBM, comunemente utilizzata nell'elaborazione ad alte prestazioni.

el 2025, l'intelligenza artificiale (AI) ha superato la fase iniziale di sperimentazione e di lancio, entrando in una fase di ampia applicazione e di diffusione industriale su larga scala. Che si tratti dell'addestramento di modelli su larghissima scala o dell'inferenza a bassa latenza nelle applicazioni aziendali, gli scenari di utilizzo dell'IA e i volumi di dati stanno crescendo in modo esplosivo.