تختلف ذاكرة HBM عن ذاكرة DDR التقليدية في تصميم التوصيل البيني العمودي ثلاثي الأبعاد TSV (عبر السيليكون فيا). يتم تكديس العديد من قوالب DRAM عموديًا وتوصيلها من خلال قنوات السيليكون، ثم يتم تجميعها مع قالب منطقي (عادةً وحدة معالجة رسومات أو مسرع ذكاء اصطناعي) على جهاز سيليكون بيني.
وفقًا للتقارير العامة، أعلنت شركة SanDisk العملاقة لذاكرة الفلاش عن زيادة كبيرة في أسعار عقود فلاش NAND لشهر نوفمبر، بزيادة تصل إلى 501 تيرابايت 6 تيرابايت. وقد جذبت هذه الأخبار على الفور انتباه سلسلة توريد وحدات التخزين بأكملها وقادت الصناعة إلى إعادة النظر في اتجاهات السوق المستقبلية.
يمكننا تخيل SSD كمدينة ذكية تدار بكفاءة. إن رقائق فلاش NAND التي تخزن البيانات تشبه الأرض والمباني في المدينة، حيث توفر مساحة مادية لتخزين البيانات. وحدة تحكم SSD مثل حكومة المدينة ومركز التحكم في حركة المرور.
لا يُعد الفلاش عالي النطاق الترددي وسيط تخزين جديد تمامًا، بل هو ابتكار معماري ذكي. وتتمثل فكرته الأساسية في الجمع بين ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد الموجودة عادةً في حياتنا اليومية (المستخدمة في الهواتف ومحركات الأقراص الصلبة) مع تقنية التغليف والتوصيل البيني المتقدمة ل HBM، والتي تُستخدم عادةً في الحوسبة عالية الأداء.
n في عام 2025، تجاوز الذكاء الاصطناعي (AI) مرحلة التجريب في المراحل المبكرة والطرح الأولي، ودخل مرحلة التطبيق الواسع والنشر الصناعي على نطاق واسع. تتزايد سيناريوهات استخدام الذكاء الاصطناعي وأحجام البيانات بشكل كبير، سواء كان ذلك في تدريب النماذج فائقة الاتساع أو الاستدلال منخفض الكمون في تطبيقات الأعمال.
املأ النموذج أدناه، وسنتواصل معك قريباً.
