HBM 与传统 DDR 存储器的不同之处在于其 3D TSV（硅通孔）垂直互连设计。多个 DRAM 芯片垂直堆叠并通过硅通孔连接，然后与逻辑芯片（通常是 GPU 或人工智能加速器）一起封装在硅中间件上。

据公开报道，闪存巨头闪迪宣布大幅上调11月份NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。这一消息立即引起了整个存储供应链的关注，并引发了业界对未来市场趋势的重新思考。

我们可以把固态硬盘想象成一座高效运行的智慧城市。存储数据的 NAND 闪存芯片就像城市中的土地和建筑，为数据存储提供物理空间。固态硬盘控制器就好比城市政府和交通控制中心。

高带宽闪存并不是一种全新的存储介质，而是一种巧妙的架构创新。其核心理念是将我们日常生活中常见的 3D NAND 闪存（用于手机和固态硬盘）与高性能计算中常用的 HBM 先进封装和互连技术相结合。

2025 年，人工智能（AI）已超越早期实验和初步推广阶段，进入广泛应用和大规模产业部署阶段。无论是超大规模模型的训练，还是商业应用中的低延迟推理，人工智能的使用场景和数据量都在爆炸式增长。