HBM se diferencia de la memoria DDR tradicional por su diseño de interconexión vertical TSV (Through-Silicon Via) en 3D. Varias memorias DRAM se apilan verticalmente y se conectan a través de vías de silicio. A continuación, se empaquetan junto con una matriz lógica (normalmente una GPU o un acelerador de IA) en un intercalador de silicio.

Según informes públicos, el gigante de la memoria flash SanDisk anunció un aumento significativo de los precios contractuales de la memoria flash NAND para noviembre, con una subida de hasta 50%. Esta noticia atrajo inmediatamente la atención de toda la cadena de suministro de almacenamiento y llevó a la industria a reconsiderar las futuras tendencias del mercado.

Podemos imaginar una SSD como una ciudad inteligente gestionada de forma eficiente. Los chips flash NAND que almacenan los datos son como los terrenos y edificios de la ciudad, que proporcionan espacio físico para el almacenamiento de datos. El controlador SSD es como el gobierno de la ciudad y el centro de control del tráfico.

High-Bandwidth Flash no es un medio de almacenamiento completamente nuevo, sino una inteligente innovación arquitectónica. Su idea central es combinar la memoria flash 3D NAND habitual en nuestra vida cotidiana (utilizada en teléfonos y unidades de estado sólido) con la avanzada tecnología de empaquetado e interconexión de la HBM, que se utiliza habitualmente en la informática de alto rendimiento.

n 2025, la inteligencia artificial (IA) ha superado las primeras fases de experimentación y despliegue inicial, entrando en una fase de amplia aplicación e implantación industrial a gran escala. Tanto si se trata del entrenamiento de modelos a gran escala como de la inferencia de baja latencia en aplicaciones empresariales, los escenarios de uso de la IA y los volúmenes de datos están creciendo de forma explosiva.