HBM отличается от традиционной памяти DDR вертикальной конструкцией 3D TSV (Through-Silicon Via). Несколько плашек DRAM укладываются вертикально и соединяются через кремниевые каналы, а затем упаковываются вместе с логической плашкой (обычно GPU или ускорителем искусственного интеллекта) на кремниевом интерпозере.

По сообщениям общественности, гигант рынка флеш-памяти SanDisk объявил о значительном повышении контрактных цен на флэш-память NAND на ноябрь, причем рост составил до 50%. Эта новость сразу же привлекла внимание всей цепочки поставок систем хранения данных и заставила отрасль пересмотреть будущие тенденции рынка.

Мы можем представить себе твердотельный накопитель как эффективно работающий "умный город". Микросхемы флэш-памяти NAND, на которых хранятся данные, подобны земле и зданиям в городе, предоставляя физическое пространство для хранения данных. Контроллер SSD - это городские власти и центр управления движением.

High-Bandwidth Flash - это не совсем новый носитель информации, а скорее продуманная архитектурная инновация. Его основная идея заключается в том, чтобы объединить флэш-память 3D NAND, широко распространенную в нашей повседневной жизни (используемую в телефонах и твердотельных накопителях), с передовой технологией упаковки и соединения HBM, которая обычно используется в высокопроизводительных вычислениях.

2025 году искусственный интеллект (ИИ) вышел за пределы ранних стадий экспериментов и первоначального внедрения и вступил в фазу широкого применения и масштабного промышленного развертывания. Будь то обучение сверхмасштабных моделей или вывод заключений с низкой задержкой в бизнес-приложениях, сценарии использования ИИ и объемы данных растут взрывообразно.