O HBM difere da memória DDR tradicional em seu design de interconexão vertical 3D TSV (Through-Silicon Via). Múltiplas matrizes DRAM são empilhadas verticalmente e conectadas através de vias de silício, e então empacotadas junto com uma matriz lógica (tipicamente uma GPU ou acelerador de IA) em um interpositor de silício.

De acordo com informações públicas, o gigante da memória flash SanDisk anunciou um aumento significativo dos preços contratuais da memória flash NAND para novembro, com um aumento de até 50%. Esta notícia atraiu imediatamente a atenção de toda a cadeia de fornecimento de armazenamento e levou o sector a reconsiderar as futuras tendências do mercado.

Podemos imaginar um SSD como uma cidade inteligente gerida de forma eficiente. Os chips flash NAND que armazenam os dados são como os terrenos e os edifícios da cidade, proporcionando espaço físico para o armazenamento de dados. O controlador SSD é como o governo da cidade e o centro de controlo do tráfego.

A memória flash de alta largura de banda não é um meio de armazenamento inteiramente novo, mas sim uma inteligente inovação arquitetónica. A sua ideia central é combinar a memória flash 3D NAND comumente encontrada em nossas vidas diárias (usada em telefones e unidades de estado sólido) com a avançada tecnologia de empacotamento e interconexão da HBM, que é comumente usada em computação de alto desempenho.

m 2025, a inteligência artificial (IA) ultrapassou a fase inicial de experimentação e de implementação, entrando numa fase de aplicação alargada e de implantação industrial em grande escala. Quer se trate do treino de modelos de escala ultra grande ou da inferência de baixa latência em aplicações comerciais, os cenários de utilização da IA e os volumes de dados estão a crescer de forma explosiva.