High-Bandwidth Flash ist kein völlig neues Speichermedium, sondern vielmehr eine clevere architektonische Innovation. Der Kerngedanke besteht darin, den 3D-NAND-Flash-Speicher, der in unserem täglichen Leben häufig vorkommt (in Handys und Solid-State-Laufwerken), mit der fortschrittlichen Verpackungs- und Verbindungstechnologie von HBM zu kombinieren, die üblicherweise in der Hochleistungsinformatik eingesetzt wird.

m Jahr 2025 hat die künstliche Intelligenz (KI) die Phase der frühen Experimente und der anfänglichen Einführung hinter sich gelassen und tritt nun in eine Phase der breiten Anwendung und des großtechnischen Einsatzes ein. Ob es sich um das Training von Modellen in extrem großem Maßstab oder um Schlussfolgerungen mit geringer Latenz in Geschäftsanwendungen handelt, die Anwendungsszenarien und Datenmengen von KI wachsen explosionsartig.

Nach fast zwei Jahren des Preisverfalls zeigt der globale NAND-Flash-Markt endlich Anzeichen einer Erholung. Laut dem jüngsten Bericht des Branchenforschungsunternehmens TrendForce werden die NAND-Flash-Vertragspreise im vierten Quartal 2025 voraussichtlich um 5% auf 10% steigen

Der grundlegendste Unterschied zwischen externen Festplatten und externen SSDs liegt in ihren internen Datenspeicherungsmethoden, die fast alle ihre Eigenschaften bestimmen. Wir können dies mit einer einfachen Analogie verstehen: Eine externe HDD ist wie ein altmodischer Vinyl-Schallplattenspieler, während eine externe SSD wie ein großer, schneller USB-Stick ist.