Когда генеральный директор Phison Electronics Пуа Кхейн-Сенг публично заявил, что "производственные мощности NAND на 2026 год уже полностью заняты", вся цепочка поставок полупроводников оказалась втянута в новый раунд обсуждений.

Операции чтения и записи на SSD подчиняются уникальным правилам на физическом уровне, и эти фундаментальные правила определяют его производительность. Мы можем понять их основные принципы, рассмотрев следующие пункты.

HBM отличается от традиционной памяти DDR вертикальной конструкцией 3D TSV (Through-Silicon Via). Несколько плашек DRAM укладываются вертикально и соединяются через кремниевые каналы, а затем упаковываются вместе с логической плашкой (обычно GPU или ускорителем искусственного интеллекта) на кремниевом интерпозере.

По сообщениям общественности, гигант рынка флеш-памяти SanDisk объявил о значительном повышении контрактных цен на флэш-память NAND на ноябрь, причем рост составил до 50%. Эта новость сразу же привлекла внимание всей цепочки поставок систем хранения данных и заставила отрасль пересмотреть будущие тенденции рынка.

Мы можем представить себе твердотельный накопитель как эффективно работающий "умный город". Микросхемы флэш-памяти NAND, на которых хранятся данные, подобны земле и зданиям в городе, предоставляя физическое пространство для хранения данных. Контроллер SSD - это городские власти и центр управления движением.