4 августа 2026 года на выставке FMS 2026 (Future Memory and Storage), прошедшей в Санта-Кларе, штат Калифорния, США, компании SK hynix и SanDisk официально представили первая техническая спецификация OCP для Флэш-память с высокой пропускной способностью (HBF). Спецификация публично доступна для всей отрасли через OCP (Open Compute Project) — крупнейшую в мире организацию, занимающуюся открытыми технологиями для центров обработки данных. Она позиционируется как отраслевая открытая техническая спецификация, а не как проприетарный технический стандарт какого-либо отдельного поставщика. Это ключевой этап в развитии технологии HBF, который также знаменует официальный переход HBF на этап открытой стандартизации и валидации экосистемы.
Важный этап в процессе стандартизации
Темпы стандартизации HBF превзошли ожидания отрасли. Еще в августе 2025 года компании SK hynix и SanDisk официально приступили к совместной работе по стандартизации HBF. Обе компании планировали совместно разработать спецификацию новой технологии хранения данных для приложений искусственного интеллекта, опираясь на свои технологические знания и опыт. В феврале 2026 года в рамках OCP была официально создана техническая рабочая группа по HBF, объединившая компании из всех звеньев отраслевой цепочки создания стоимости для участия в разработке стандартов.
С момента запуска рабочего направления в феврале 2026 года до публикации первой технической спецификации OCP весь процесс занял всего шесть месяцев. В основе такого стремительного прогресса лежит острая потребность отрасли искусственного интеллекта в новых решениях для хранения данных, а также открытый и основанный на сотрудничестве подход к разработке стандартов. Основной вклад в этот процесс внесли компании SanDisk и SK hynix, а Google и Tenstorrent также приняли участие в процессе стандартизации и оказали поддержку в технической валидации и разработке спецификаций.
HBF позиционируется как промежуточный уровень для хранения данных искусственного интеллекта
До появления HBF архитектура хранения данных в вычислительных системах искусственного интеллекта в основном состояла из HBM (память с высокой пропускной способностью) и традиционный твердотельные накопители для предприятий. Между ними наблюдался явный разрыв как по производительности, так и по стоимости.
HBM, благодаря архитектуре DRAM и технологии 3D-наслоения, обеспечивает чрезвычайно высокую пропускную способность и низкую задержку доступа, что делает его важным носителем информации для поддержки вычислений в области искусственного интеллекта в режиме реального времени. Однако HBM имеет относительно ограниченную емкость и высокую стоимость. Поскольку объём данных, таких как веса больших моделей и KV-кеш, продолжает расти, использование только HBM затрудняет экономичное размещение всех данных, находящихся в непосредственной близости от вычислительных ресурсов. Традиционные SSD-накопители использовать Флэш-память NAND чтобы обеспечить большую емкость при относительно низкой стоимости, однако их пропускная способность и задержка доступа значительно уступают показателям HBM.
HBF — это новое решение, разработанное для удовлетворения потребностей в данном уровне хранения данных. Компания SK hynix позиционирует его как уровень хранения, занимающий промежуточное положение между HBM и SSD. В нём используется флэш-память NAND, обеспечивающая большую ёмкость, а также интерфейсы с высокой пропускной способностью и передовые технологии корпусирования, позволяющие сократить расстояние между данными и вычислительными блоками, что позволяет удовлетворить потребность в “большей ёмкости + более высокой пропускной способности” в таких сценариях, как инференция искусственного интеллекта.
| Тип хранения | Основная среда | Уровень пропускной способности | Характеристики производительности | Уровень затрат | Основные сценарии применения |
|---|---|---|---|---|---|
| HBM | DRAM | Чрезвычайно высокий | Ограниченная вместимость | Очень высокий | Вычисления с использованием ИИ в режиме реального времени, часто используемые данные |
| HBF | Флэш-память NAND | Высокий | Большая вместимость | Относительно низкий | Вычисления в области искусственного интеллекта, данные с высокой пропускной способностью, расположенные вблизи вычислительных ресурсов |
| SSD | Флэш-память NAND | Низкий | Очень большая вместимость | Низкий | Хранение «холодных» данных, долгосрочное архивирование |
Основные положения первой технической спецификации
Первая техническая спецификация OCP для HBF, опубликованная на этот раз, охватывает системные интерфейсы, электрические характеристики, основные требования к эксплуатационным характеристикам, корпусирование и надежность, а также рекомендации по чтению и записи программного обеспечения. Она обеспечивает единую техническую основу для разработки продуктов HBF и системной интеграции в масштабах всей отрасли.
Что касается конфигурации емкости, в технических характеристиках предусмотрены два варианта многослойного расположения микросхем NAND: 8-слойное и 16-слойное. Один модуль HBF поддерживает объём до 512 ГБ, что позволяет ещё лучше удовлетворить потребность в хранилищах большой ёмкости, расположенных в непосредственной близости от вычислительных ресурсов, в сценариях инференции ИИ.
С точки зрения уровней производительности спецификация подразделяет HBF на три класса — от 1-го до 3-го — с пропускной способностью канала передачи данных в диапазоне от 0,4 ТБ/с до 3,0 ТБ/с. Продукты разных классов можно настраивать в соответствии с требованиями различных систем искусственного интеллекта к пропускной способности и емкости.
Две основные технические особенности
HBF стремится обеспечить баланс между вычислительной мощностью и пропускной способностью. В основе этой технологии лежат такие ключевые решения, как высокоскоростные межпроцессорные соединения, а также передовые методы многослойной сборки и упаковки NAND-памяти, при этом особое внимание уделяется открытости и инженерной реализуемости.
- Во-первых, это внедрение универсального стандарта межчипового соединения UCIe. HBF использует UCIe в качестве технологии межкомпонентной связи на стороне процессора, обеспечивая открытую интерфейсную основу для высокоскоростных соединений между различными типами вычислительных процессоров, такими как графические процессоры (GPU) и центральные процессоры (CPU), и HBF. Ожидается, что по сравнению с традиционными архитектурами систем хранения данная конструкция сократит путь доступа к данным и обеспечит более стандартизированный интерфейс для адаптации HBF к вычислительным чипам различных производителей.
- Второй — технология многослойного устройства NAND высокой плотности и склеивания пластин. В решении HBF используются технология флэш-памяти BiCS и технология CBA (CMOS, непосредственно соединенная с матрицей) компании SanDisk в сочетании с запатентованной технологией многослойного монтажа кристаллов, что позволяет обеспечить высокую плотность упаковки — до 16 слоев. Ранее опубликованные технические материалы компании SanDisk показывают, что в решении HBF используются такие структуры межсоединений корпуса, как TSV и микровыступы, а также уделяется особое внимание снижению коробления кристаллов за счет запатентованной технологии укладки, что позволяет обеспечить укладку с большим количеством слоев.
Экосистема отрасли и планы по запуску массового производства
Будучи открытой технической спецификацией, HBF с самого начала уделяла особое внимание сотрудничеству в рамках отраслевой цепочки. К настоящему моменту сформировалась экосистема, объединяющая компании из сферы хранения данных, производства чипов для искусственного интеллекта, облачных вычислений и других областей.
К числу основных участников процесса стандартизации HBF относятся производители систем хранения данных SK hynix и SanDisk, а также компании-разработчики чипов для ИИ Tenstorrent и Google. В ходе саммита FMS 2026 компании SK hynix, Google DeepMind и SanDisk также совместно приняли участие в панельной дискуссии, посвящённой HBF, в ходе которой обсуждались направления развития архитектур систем хранения данных для инфраструктуры искусственного интеллекта.
Что касается разработки продукции, компания SanDisk уже продвинулась в разработке чипов HBF и в августе 2026 года сообщила, что технология HBF привлекает всё большее внимание со стороны отраслевой экосистемы. На мероприятии «День инвестора 2026», состоявшемся 13 августа, компания также заявила, что формируется отраслевая экосистема, поддерживающая применение технологии HBF.
Одновременно с этим развиваются и технологии, лежащие в основе флэш-памяти. На этом саммите компания SK hynix впервые публично представила свою флэш-память 4D NAND десятого поколения (V10) с 375 слоями. Компания заявила, что производительность на ватт улучшилась в 2,5 раза по сравнению с предыдущим поколением. SK hynix также представила дорожную карту технологий хранения данных следующего поколения для инфраструктуры искусственного интеллекта.
Влияние на отрасль и перспективы на будущее
Выпуск первой технической спецификации OCP для HBF является не только важной попыткой в области развития технологий хранения данных, но, как ожидается, также окажет влияние на архитектуру хранения данных в инфраструктуре искусственного интеллекта.
Во-первых, это ещё больше расширяет многоуровневую архитектуру систем хранения данных для ИИ. В дополнение к вычислительным чипам и HBM технология HBF призвана обеспечить уровень хранения, расположенный в непосредственной близости от вычислительных ресурсов, с большей ёмкостью и более высокой пропускной способностью, чем у традиционных SSD, предлагая новый вариант хранения для приложений с интенсивным использованием данных, таких как инференция на основе крупных моделей и агентный ИИ. Компания SK hynix также четко позиционирует HBF между HBM и SSD, чтобы удовлетворить растущие требования к емкости и пропускной способности в эпоху инференции ИИ.
Во-вторых, ожидается, что это поможет инфраструктуре искусственного интеллекта достичь более оптимального баланса между производительностью и стоимостью. Вместо того чтобы размещать все объёмы данных, требующие большой ёмкости, в дорогостоящей памяти HBM, использование HBF для хранения части данных, которым требуется большая ёмкость и одновременно относительно высокая пропускная способность, может снизить общие затраты системы на хранение данных и повысить эффективность доступа к данным.
В-третьих, это может способствовать дальнейшему сотрудничеству между отраслями, связанными с технологией NAND, передовыми методами упаковки, межчиплетными соединениями, серверами искусственного интеллекта, а также другими смежными отраслями. Технология HBF включает в себя многослойное размещение NAND-ячеек высокой плотности, склеивание пластин, высокоскоростные межчиплетные соединения и программные механизмы чтения/записи. Поэтому её коммерциализация зависит не только от самих чипов памяти, но и от совместного развития вычислительных чипов, технологий упаковки, серверов и программной экосистемы.
В целом, публикация первой технической спецификации OCP для HBF означает, что эта технология вышла за рамки самостоятельной разработки отдельными поставщиками и перешла к этапам открытой стандартизации, отраслевого сотрудничества и проверки продуктов. В рамках открытой платформы OCP компании SK hynix, SanDisk, Google, Tenstorrent и другие участники совместно продвигают разработку технической спецификации, создавая единую техническую основу, позволяющую различным производителям исследовать возможности применения технологии HBF.
По мере продвижения работ по созданию последующих образцов продукции, валидации систем и адаптации к экосистеме вопрос о том, сможет ли HBF действительно стать важным уровнем хранения данных в эпоху ИИ, по-прежнему требует дальнейшего наблюдения за его производительностью, стоимостью и надежностью в реальных системах инференции ИИ. Однако ясно одно: по мере того как ИИ переходит от обучения к крупномасштабному вычислению, традиционная архитектура хранения “HBM + SSD” сталкивается с новыми вызовами в плане емкости и пропускной способности, в то время как HBF становится одним из ключевых направлений, которые отрасль исследует для этого нового уровня хранения.
