Завершена разработка дорожной карты и сроков коммерциализации DDR6, стандарта памяти нового поколения, который широко ожидается мировой технологической индустрией. В сотрудничестве с ведущими производителями DRAM и лидерами процессорных платформ отраслевой орган по стандартизации JEDEC подтвердил, что память DDR6 появится в устройствах высокого класса в 2026 году, а массовое внедрение начнется к 2027 году. Это усовершенствование призвано значительно повысить эффективность вычислений, чтобы удовлетворить растущие потребности в искусственном интеллекте и высокопроизводительных вычислениях.
Прорывная производительность
По сравнению с сегодняшним мейнстримом DDR5 Память DDR6 обеспечивает скачок в производительности ядра на поколение вперед. Ее базовая скорость передачи данных начинается с 8 800 МТ/с и увеличивается до 17 600 МТ/с. Специальные разогнанные модули могут достигать скорости свыше 21 000 МТ/с. Архитектурно DDR6 заменяет двойную 32-битную субканальную конструкцию DDR5 на четверную 24-битную субканальную конфигурацию. Такая перестройка существенно повышает возможности параллельной обработки данных и эффективность использования полосы пропускания, хотя и повышает требования к целостности сигналов в системах.
Новый физический стандарт: CAMM2 берет на себя ответственность
DDR6 использует новый стандарт разъемов CAMM2, заменяющий устаревшие за десятилетия разъемы DIMM и SO-DIMM. Конструкция CAMM2 обеспечивает более высокую плотность модулей, более низкое электрическое сопротивление и более тонкий физический профиль. Крупнейшие производители оборудования продемонстрировали прототипы CAMM2 емкостью 64 ГБ, устранив узкие места, присущие разъемам DDR5.
График производства Clear: запуск в 2026 году, расширение в 2027 году
В настоящее время DDR6 находится на стадии технической проверки. Ведущие поставщики DRAM - Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology - завершили разработку прототипов чипов и сотрудничают с Intel и AMD в тестировании интерфейсов на уровне платформы. JEDEC завершил работу над проектом спецификации DDR6 в конце 2024 года и выпустит стандарт LPDDR6, его вариант с низким энергопотреблением, во втором квартале 2025 года. Сертификация платформ начнется в 2026 году.
Процессоры нового поколения с поддержкой DDR6, такие как серверные и мобильные процессоры премиум-класса от Intel и AMD, будут выпущены в 2026 году для серверов ИИ, высокопроизводительных вычислительных кластеров и флагманских ноутбуков. Широкое распространение на потребительском рынке последует в 2027 году.
Поставщики ускоряют развитие экосистемы
Лидеры рынка памяти стратегически позиционируют себя к приходу DDR6. Компания Samsung Electronics использует свой передовой технологический процесс 1c DRAM для подготовки массового производства LPDDR6 и, как сообщается, достигла приемлемых показателей выхода в ходе испытаний на тепловую нагрузку. Samsung планирует поставлять чипы LPDDR6 для мобильных платформ, таких как Snapdragon 8 Elite Gen 2 от Qualcomm, к концу 2025 года. Micron и SK Hynix адаптируют тот же процесс для продуктов следующего поколения, включая HBM4, чтобы создать комплексные решения для памяти AI.
Партнеры по экосистеме продвигаются параллельно. Такие компании, как Synopsys, занимающиеся разработкой контроллеров, и разработчики мобильных чипсетов, включая Qualcomm и MediaTek, уже приступили к адаптации оборудования к LPDDR6. Это ускорит разработку устройств edge-AI. Производители модулей, такие как Longsys, разрабатывают продукты LPCAMM2 для удовлетворения будущих потребностей ПК и мобильных устройств в высокопроизводительной и плотной памяти.
Ключевые драйверы: Расширение ИИ и модернизация центров обработки данных
Разработка DDR6 и LPDDR6 обусловлена двумя важнейшими тенденциями: Во-первых, генеративные приложения ИИ быстро распространяются на устройства с граничными устройствами. Высокая пропускная способность и сверхнизкое энергопотребление LPDDR6 необходимы для смартфонов, планшетов и ноутбуков, на которых работают локализованные модели на больших языках. Во-вторых, глобальные центры обработки данных переживают масштабный цикл модернизации. В 2025 году проникновение DDR5 в серверы достигнет 65%, а более высокая производительность и масштабируемость DDR6 позволит лучше поддерживать обучение ИИ и рабочие нагрузки HPC, требующие огромной пропускной способности памяти.
Заключение: Изменение конкурентного ландшафта
Переход на DDR6 ускорит конкуренцию в отрасли. Китайская компания CXMT планирует массовое производство LPDDR5X к 2026 году, что вынуждает Samsung, SK Hynix и Micron ускорить внедрение LPDDR6. Внедрение модулей CAMM2 все еще сталкивается с проблемами, связанными с затратами на цепочку поставок и заменой устаревших слотов DIMM. Тем не менее, ожидается, что CAMM2 переопределит форм-факторы памяти в масштабах всей отрасли..
