{"id":19659,"date":"2026-08-07T18:10:20","date_gmt":"2026-08-07T10:10:20","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=19659"},"modified":"2026-08-07T18:10:22","modified_gmt":"2026-08-07T10:10:22","slug":"samsung-zhbm-3d-stacked-memory-breaks-ai-bottleneck","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/news\/samsung-zhbm-3d-stacked-memory-breaks-ai-bottleneck\/","title":{"rendered":"Samsung zHBM: a mem\u00f3ria empilhada em 3D elimina o estrangulamento da IA"},"content":{"rendered":"
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A 4 de agosto de 2026, na confer\u00eancia \u00abFuture of Memory and Storage\u00bb (FMS 2026), realizada em Santa Clara, na Calif\u00f3rnia, a Samsung Electronics apresentou oficialmente o primeiro modelo conceptual de zHBM do setor, a par de uma solu\u00e7\u00e3o de empilhamento vertical para mem\u00f3ria flash NAND denominada zNAND\u2011O. Concebido para a computa\u00e7\u00e3o de IA em escala ultra-grande da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o, o zHBM representa uma arquitetura de mem\u00f3ria inovadora que integra verticalmente mem\u00f3ria de elevada largura de banda (HBM)<\/span><\/a> diretamente sobre o chip de um acelerador de IA. Isto representa uma mudan\u00e7a significativa em rela\u00e7\u00e3o ao encapsulamento 2.5D convencional e \u00e9 amplamente considerado como um caminho tecnol\u00f3gico fundamental para superar o estrangulamento da \u201cbarreira da mem\u00f3ria\u201d, que dificulta o aumento do desempenho da IA.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Revolu\u00e7\u00e3o arquitet\u00f3nica: da disposi\u00e7\u00e3o lado a lado ao empilhamento vertical verdadeiramente 3D<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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O \u201cz\u201d em zHBM refere-se ao eixo Z vertical no espa\u00e7o tridimensional. A inova\u00e7\u00e3o principal reside na reformula\u00e7\u00e3o fundamental da integra\u00e7\u00e3o da HBM com a l\u00f3gica de computa\u00e7\u00e3o: afastando-se do layout lado a lado 2,5D, h\u00e1 muito estabelecido, para uma verdadeira fus\u00e3o vertical 3D.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nas implementa\u00e7\u00f5es convencionais de HBM, as pilhas de HBM e o chip acelerador de IA s\u00e3o colocados lado a lado no mesmo substrato do pacote, interligados atrav\u00e9s de um interpositor de sil\u00edcio. Os dados percorrem tra\u00e7os horizontais relativamente longos no interpositor, o que imp\u00f5e limites f\u00edsicos \u00e0 lat\u00eancia, ao consumo de energia e \u00e0 \u00e1rea ocupada pelo pacote. Esta configura\u00e7\u00e3o tem dificuldade em acompanhar o crescimento exponencial da computa\u00e7\u00e3o de IA e os seus requisitos cada vez maiores em termos de largura de banda de mem\u00f3ria.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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A zHBM elimina totalmente a via de transmiss\u00e3o horizontal, empilhando toda a mem\u00f3ria HBM diretamente acima do chip do acelerador de IA. Esta redu\u00e7\u00e3o na dist\u00e2ncia percorrida pelos dados aproxima-se do limite f\u00edsico, diminuindo significativamente a lat\u00eancia e o consumo de energia da interliga\u00e7\u00e3o, ao mesmo tempo que poupa drasticamente espa\u00e7o no substrato. Como resultado, tanto a densidade de computa\u00e7\u00e3o como a densidade de mem\u00f3ria por unidade de \u00e1rea s\u00e3o significativamente melhoradas, alcan\u00e7ando uma integra\u00e7\u00e3o profunda e tridimensional entre computa\u00e7\u00e3o e mem\u00f3ria.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Principais m\u00e9tricas de desempenho<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Tomando como refer\u00eancia a pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de HBM5 da Samsung, que ainda n\u00e3o entrou em produ\u00e7\u00e3o em massa, a empresa divulgou os valores de desempenho previstos para o conceito zHBM. A tabela abaixo destaca as principais diferen\u00e7as:<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Dimens\u00e3o do Desempenho<\/th>HBM5\u00a0<\/th>Conceito zHBM<\/th><\/tr><\/thead>
Desempenho geral<\/td>Linha de base<\/td>4\u00d7 \u2013 8\u00d7 o valor do HBM5<\/td><\/tr>
Densidade de mem\u00f3ria<\/td>Linha de base<\/td>>10 vezes mais do que o HBM5<\/td><\/tr>
Efici\u00eancia energ\u00e9tica<\/td>Linha de base<\/td>Melhoria de 3 vezes<\/td><\/tr>
Resist\u00eancia t\u00e9rmica total<\/td>Linha de base<\/td>>Redu\u00e7\u00e3o 50%<\/td><\/tr><\/tbody><\/table>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Estes ganhos devem-se n\u00e3o s\u00f3 ao percurso de transmiss\u00e3o mais curto, mas tamb\u00e9m a um sistema de interface de mem\u00f3ria totalmente novo. Al\u00e9m disso, a zHBM permite a personaliza\u00e7\u00e3o espec\u00edfica para cada cliente, ao permitir a incorpora\u00e7\u00e3o de blocos de IP dedicados na camada interm\u00e9dia entre a pilha de mem\u00f3ria e o acelerador de IA, possibilitando uma expans\u00e3o flex\u00edvel da capacidade de mem\u00f3ria ou uma l\u00f3gica de acelerador adaptada \u00e0s necessidades espec\u00edficas dos diferentes fornecedores de chips de IA.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Tr\u00eas tecnologias fundamentais<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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A concretiza\u00e7\u00e3o da arquitetura zHBM depende de uma combina\u00e7\u00e3o de inova\u00e7\u00f5es avan\u00e7adas em processos de semicondutores. Tr\u00eas tecnologias fundamentais constituem a base desta solu\u00e7\u00e3o:<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Liga\u00e7\u00e3o h\u00edbrida de cobre ao n\u00edvel do wafer. <\/span><\/strong>Este \u00e9 o processo fundamental para alcan\u00e7ar um empilhamento vertical de alta densidade. Substituindo as liga\u00e7\u00f5es tradicionais com micro-bump, este processo recorre \u00e0 liga\u00e7\u00e3o direta cobre-cobre para as interconex\u00f5es entre chips, aumentando a densidade de interconex\u00e3o numa ordem de grandeza, ao mesmo tempo que reduz significativamente a resist\u00eancia de contacto e a perda de sinal. Isto permite pilhas de mem\u00f3ria mais altas e taxas de dados mais elevadas, tornando a integra\u00e7\u00e3o 3D vi\u00e1vel do ponto de vista da produ\u00e7\u00e3o.<\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Integra\u00e7\u00e3o de empilhamento de m\u00faltiplas pastilhas. <\/span><\/strong>Aproveitando o know-how da tecnologia de empilhamento vertical V-NAND e da tecnologia \u00abthrough-silicon via\u00bb (TSV), a zHBM integra v\u00e1rias pastilhas de DRAM com a pastilha de processamento numa \u00fanica estrutura 3D monol\u00edtica. Esta tecnologia est\u00e1 na base do aumento de dez vezes da densidade de mem\u00f3ria, garantindo simultaneamente uma estabilidade el\u00e9trica robusta em toda a pilha.<\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Otimiza\u00e7\u00e3o direcionada da gest\u00e3o t\u00e9rmica. <\/span><\/strong>Para dar resposta ao desafio da dissipa\u00e7\u00e3o de calor concentrada, inerente ao empilhamento vertical, a Samsung reduziu a resist\u00eancia t\u00e9rmica global atrav\u00e9s de uma sele\u00e7\u00e3o cuidadosa dos materiais e de um projeto estrutural. Al\u00e9m disso, as vias de elevada condutividade t\u00e9rmica resultantes da liga\u00e7\u00e3o das pastilhas funcionam como canais auxiliares de dissipa\u00e7\u00e3o de calor, aliviando a acumula\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica acima do chip de computa\u00e7\u00e3o, que consome muita energia, garantindo assim a fiabilidade a longo prazo para o empilhamento de alta capacidade.<\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Roteiro e posicionamento tecnol\u00f3gico<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Atualmente, o zHBM continua a ser uma prova de conceito.<\/strong> A Samsung ainda n\u00e3o anunciou um calend\u00e1rio espec\u00edfico para a produ\u00e7\u00e3o em massa. O consenso do setor aponta para que a comercializa\u00e7\u00e3o ocorra aproximadamente no per\u00edodo de 2028\u20132029.\u00a0<\/span>De acordo com o atual plano de desenvolvimento de mem\u00f3rias da Samsung, os esfor\u00e7os de produ\u00e7\u00e3o a curto prazo centram-se na HBM4, que entrou em produ\u00e7\u00e3o em massa em fevereiro de 2026. Em maio de 2026, a empresa come\u00e7ou a fornecer amostras de HBM4E, e o segundo semestre de 2026 ser\u00e1 dedicado \u00e0 expans\u00e3o HBM4<\/span><\/a> capacidade. Tanto o HBM5 como o zHBM est\u00e3o posicionados como desenvolvimentos a longo prazo, a serem implementados gradualmente \u00e0 medida que as necessidades de computa\u00e7\u00e3o da IA e a maturidade da produ\u00e7\u00e3o forem evoluindo.<\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Diferente HBF (Flash de Elevada Largura de Banda)<\/span><\/a>, que \u00e9 uma solu\u00e7\u00e3o de empilhamento de mem\u00f3ria flash baseada em NAND concebida para oferecer elevada capacidade e baixo custo, destinada principalmente ao armazenamento de pesos de modelos de IA, enquanto a zHBM \u00e9 uma mem\u00f3ria de elevada largura de banda baseada em DRAM que privilegia uma lat\u00eancia ultrabaixa e uma largura de banda extremamente elevada, concebida especificamente para a infer\u00eancia e o treino de IA em tempo real. Al\u00e9m disso, a zHBM difere do empilhamento interno da HBM convencional. Enquanto a HBM normal empilha apenas chips de DRAM dentro do m\u00f3dulo de mem\u00f3ria e permanece colocada lado a lado com o chip de computa\u00e7\u00e3o, a zHBM alcan\u00e7a uma integra\u00e7\u00e3o vertical entre categorias de todo o subsistema de mem\u00f3ria com o chip de computa\u00e7\u00e3o, oferecendo um n\u00edvel de integra\u00e7\u00e3o muito superior.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Desafios da comercializa\u00e7\u00e3o<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Sendo uma tecnologia de vanguarda, a zHBM enfrenta v\u00e1rios obst\u00e1culos de engenharia antes da sua implementa\u00e7\u00e3o em grande escala.\u00a0<\/p>

  • O rendimento \u00e9 uma das principais preocupa\u00e7\u00f5es: a liga\u00e7\u00e3o ao n\u00edvel da pastilha exige uma precis\u00e3o de alinhamento submicrom\u00e9trica, e o empilhamento multicamadas tende a provocar uma queda exponencial do rendimento. Isto imp\u00f5e requisitos rigorosos em termos de limpeza na fase inicial do processo e de precis\u00e3o do equipamento, mantendo elevados os custos de fabrico a curto prazo.\u00a0<\/li>
  • O desempenho t\u00e9rmico ainda tem de ser totalmente validado em sistemas reais: apesar da melhoria alegada na resist\u00eancia t\u00e9rmica, a mem\u00f3ria est\u00e1 situada diretamente acima de um chip de processamento gerador de calor, o que leva a uma concentra\u00e7\u00e3o significativa de calor numa zona espec\u00edfica. A efic\u00e1cia real da solu\u00e7\u00e3o de arrefecimento sob cargas de trabalho intensas ainda requer uma verifica\u00e7\u00e3o exaustiva por parte dos engenheiros.\u00a0<\/li>
  • Esta arquitetura obriga os projetistas de chips de IA a repensar os esquemas de disposi\u00e7\u00e3o dos chips, o encapsulamento e os controladores de mem\u00f3ria \u2014 um ciclo de co-desenvolvimento moroso e dispendioso que envolve toda a cadeia de abastecimento.<\/li><\/ul>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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    A zHBM representa uma importante explora\u00e7\u00e3o tecnol\u00f3gica na era p\u00f3s-Moore, com o objetivo de alcan\u00e7ar uma integra\u00e7\u00e3o mais profunda entre a mem\u00f3ria e a computa\u00e7\u00e3o. Esta tecnologia ultrapassa o limite de largura de banda do encapsulamento 2.5D tradicional e proporciona uma base de mem\u00f3ria mais s\u00f3lida para o treino de IA em escala ultra-grande e para a infer\u00eancia de modelos de linguagem de grande dimens\u00e3o da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o. De forma mais ampla, assinala uma mudan\u00e7a na evolu\u00e7\u00e3o da HBM de gama alta \u2014 passando do empilhamento intra-mem\u00f3ria para uma verdadeira integra\u00e7\u00e3o vertical entre computa\u00e7\u00e3o e mem\u00f3ria \u2014 e ir\u00e1 provavelmente impulsionar novos avan\u00e7os nas tecnologias avan\u00e7adas de encapsulamento e mem\u00f3ria, lan\u00e7ando as bases para um aumento sustentado do desempenho da IA.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    A 4 de agosto de 2026, a Samsung Electronics apresentou oficialmente o primeiro modelo conceptual de zHBM do setor, a par de uma solu\u00e7\u00e3o de empilhamento vertical para mem\u00f3ria flash NAND denominada zNAND\u2011O. Concebida para a computa\u00e7\u00e3o de IA em ultraescala da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o, a zHBM representa uma arquitetura de mem\u00f3ria revolucion\u00e1ria<\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":19680,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-19659","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/19659","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=19659"}],"version-history":[{"count":29,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/19659\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":19692,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/19659\/revisions\/19692"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media\/19680"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=19659"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=19659"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=19659"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}