{"id":17877,"date":"2026-05-27T10:56:25","date_gmt":"2026-05-27T02:56:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=17877"},"modified":"2026-05-27T10:58:07","modified_gmt":"2026-05-27T02:58:07","slug":"sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/news\/sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management\/","title":{"rendered":"SK Hynix iHBM: Um novo caminho para a gest\u00e3o do calor dos chips de IA"},"content":{"rendered":"
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\u00c0 medida que os modelos de IA crescem, mem\u00f3ria de alta largura de banda (HBM)<\/span><\/a> \u00e9 constru\u00eddo com mais camadas e velocidades mais altas para acompanhar o ritmo. No entanto, isso aumenta o calor, especialmente na camada f\u00edsica die-to-die (D2D PHY), a interface que lida com a transfer\u00eancia de dados ultra-r\u00e1pida entre o HBM e o chip AI. Esta pequena \u00e1rea torna-se o ponto mais quente do chip. O HBM tradicional for\u00e7a o calor a viajar atrav\u00e9s de v\u00e1rias camadas do n\u00facleo da matriz antes que ele possa escapar, o que \u00e9 um caminho longo e ineficiente. Se o calor n\u00e3o for removido rapidamente, a temperatura do chip aumenta e aciona o throttling - um mecanismo de autoprote\u00e7\u00e3o que reduz o desempenho. Resolver este estrangulamento t\u00e9rmico \u00e9 essencial para desbloquear toda a pot\u00eancia dos chips de IA da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Componente principal e funcionamento da iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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A SK Hynix prop\u00f4s uma solu\u00e7\u00e3o para este problema de aquecimento chamada mem\u00f3ria integrada de alta largura de banda, ou iHBM. O n\u00facleo desta tecnologia \u00e9 um componente de refrigera\u00e7\u00e3o especial incorporado na HBM. Este componente \u00e9 denominado ICE. O ICE \u00e9 feito de um material \u00e0 base de sil\u00edcio. Este material tem duas propriedades-chave ao mesmo tempo. Primeiro, ele tem alta condutividade t\u00e9rmica, o que significa que transfere calor eficientemente. Em segundo lugar, \u00e9 eletricamente isolante, pelo que pode ser colocado em seguran\u00e7a entre circuitos densos sem causar curto-circuitos. O componente ICE \u00e9 colocado diretamente na \u00e1rea D2D PHY, onde o calor \u00e9 mais concentrado e a troca de dados entre o HBM e o processador \u00e9 mais pesada.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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No design tradicional do HBM, o calor deve passar por v\u00e1rias camadas do n\u00facleo antes de deixar o chip. Este caminho \u00e9 longo. O iHBM muda este caminho. Ao usar o componente ICE embutido, ele cria um canal de calor dedicado dentro do chip. O calor pode agora viajar quase diretamente da fonte para a caixa da embalagem ou para o dissipador de calor, sem passar por muitas camadas funcionais. Isto encurta o caminho do calor e reduz a resist\u00eancia que o calor encontra pelo caminho.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Do ponto de vista do fabrico, a iHBM baseia-se na tecnologia de empacotamento ao n\u00edvel da bolacha MR-MUF j\u00e1 produzida em massa pela SK Hynix. MR-MUF significa \u2018mass reflow molded underfill\", um processo que proporciona uma elevada efici\u00eancia de produ\u00e7\u00e3o e um bom rendimento. A adi\u00e7\u00e3o da etapa de incorpora\u00e7\u00e3o de componentes ICE a este processo existente torna vi\u00e1vel a produ\u00e7\u00e3o em massa de iHBM.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Principais vantagens da iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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A tecnologia iHBM oferece v\u00e1rias vantagens claras ao alterar o percurso do calor.<\/p>