{"id":13690,"date":"2025-11-28T14:20:03","date_gmt":"2025-11-28T06:20:03","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=13690"},"modified":"2025-11-28T14:20:42","modified_gmt":"2025-11-28T06:20:42","slug":"new-nand-flash-architecture-published-in-nature","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/news\/new-nand-flash-architecture-published-in-nature\/","title":{"rendered":"Nova arquitetura NAND Flash publicada na Nature"},"content":{"rendered":"
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Em 27 de novembro de 2025, o SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), a organiza\u00e7\u00e3o de investiga\u00e7\u00e3o abrangente da Samsung Electronics, anunciou que a sua equipa publicou um resultado inovador sobre uma nova arquitetura NAND Flash na revista internacional de topo Natureza<\/em><\/a><\/span>. De acordo com a investiga\u00e7\u00e3o, ao combinar semicondutores ferroel\u00e9ctricos<\/strong>\u00a0e semicondutores de \u00f3xido<\/strong>, a nova c\u00e9lula NAND pode atingir mais de 90% redu\u00e7\u00e3o de pot\u00eancia<\/strong>\u00a0durante as opera\u00e7\u00f5es de cadeia de caracteres e mostra tamb\u00e9m uma elevada escalabilidade e capacidade de armazenamento multi-bit. Espera-se que esta tecnologia tenha um grande impacto na efici\u00eancia energ\u00e9tica dos centros de dados de IA e dos dispositivos m\u00f3veis.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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A nova arquitetura atinge uma pot\u00eancia ultra-baixa e armazenamento a v\u00e1rios n\u00edveis<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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De acordo com a Samsung SAIT, a estrutura FeFET\/Fe-NAND proposta no documento utiliza as carater\u00edsticas de polariza\u00e7\u00e3o das pel\u00edculas finas ferroel\u00e9ctricas para armazenar dados. Isto reduz grandemente a depend\u00eancia da alta tens\u00e3o e da grande energia de escrita observada nas estruturas tradicionais de porta flutuante ou de armadilha de carga.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Ao mesmo tempo, os semicondutores de \u00f3xido t\u00eam uma corrente de fuga extremamente baixa, o que permite que a cadeia NAND funcione com uma corrente quase nula. tens\u00e3o de passagem<\/strong>\u00a0durante os processos de leitura\/escrita. Esta combina\u00e7\u00e3o de materiais permite uma enorme redu\u00e7\u00e3o do consumo de energia. Os dados apresentados no documento indicam que, durante as opera\u00e7\u00f5es t\u00edpicas de string, a nova estrutura pode atingir mais de 90% e at\u00e9 cerca de 96% de poupan\u00e7a de energia<\/strong>.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Ainda mais promissor \u00e9 o facto de a estrutura ferroel\u00e9ctrica suportar naturalmente o armazenamento a v\u00e1rios n\u00edveis. As experi\u00eancias mostram que pode atingir at\u00e9 5 bits por c\u00e9lula<\/strong>o que significa que a densidade de armazenamento futura pode aumentar numa \u00e1rea limitada, igualando e at\u00e9 ultrapassando a atual dire\u00e7\u00e3o QLC (4 bits) da ind\u00fastria.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Os centros de dados de IA e os dispositivos m\u00f3veis ser\u00e3o muito beneficiados<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Esta tecnologia \u00e9 vista como uma adi\u00e7\u00e3o disruptiva \u00e0s arquitecturas NAND actuais, especialmente numa altura em que o consumo de energia se tornou um grande estrangulamento.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nos centros de dados de IA, o treino e a infer\u00eancia de modelos requerem a leitura e escrita frequentes de enormes conjuntos de dados, fazendo com que o consumo de energia do armazenamento aumente constantemente. Se o novo Fe-NAND puder atingir a produ\u00e7\u00e3o em massa ap\u00f3s o desenvolvimento de engenharia, a sua redu\u00e7\u00e3o de pot\u00eancia de funcionamento de 90% aumentar\u00e1 diretamente a efici\u00eancia energ\u00e9tica geral do centro de dados, diminuir\u00e1 os custos de eletricidade e reduzir\u00e1 a press\u00e3o de gera\u00e7\u00e3o de calor para grandes instala\u00e7\u00f5es de computa\u00e7\u00e3o.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nos dispositivos m\u00f3veis e perif\u00e9ricos, as vantagens em termos de energia de escrita e de energia em espera prolongar\u00e3o a vida \u00fatil da bateria e suportar\u00e3o um processamento de IA mais complexo no dispositivo, especialmente para infer\u00eancia offline, tarefas de dete\u00e7\u00e3o cont\u00ednua e armazenamento em cache de dados de elevada largura de banda.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Por outro lado, os dispositivos ferroel\u00e9ctricos s\u00e3o tamb\u00e9m naturalmente adequados para as futuras computa\u00e7\u00e3o na mem\u00f3ria<\/strong>\u00a0oferecendo potencial para hardware neurom\u00f3rfico.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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V\u00e1rios desafios de engenharia devem ser resolvidos antes da produ\u00e7\u00e3o em massa<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Embora os resultados do documento sejam empolgantes, os especialistas do sector salientam que os produtos comerciais ter\u00e3o de ultrapassar v\u00e1rias barreiras de engenharia, incluindo:<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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  • Compatibilidade de fabrico: <\/strong>A deposi\u00e7\u00e3o e o processamento t\u00e9rmico de pel\u00edculas finas ferroel\u00e9ctricas - e a sua compatibilidade com os processos V-NAND 3D existentes - necessitam de mais valida\u00e7\u00e3o, especialmente no que diz respeito ao rendimento e \u00e0 estabilidade em estruturas de pilha elevada.<\/li>
  • Resist\u00eancia e reten\u00e7\u00e3o de dados: <\/strong>A NAND comercial requer muito mais ciclos de escrita e reten\u00e7\u00e3o de dados a longo prazo do que as experi\u00eancias acad\u00e9micas. O desempenho a longo prazo dos materiais ferroel\u00e9ctricos em grandes matrizes necessita de mais testes.<\/li>
  • Consist\u00eancia do dispositivo e controlo de erros: <\/strong>A programa\u00e7\u00e3o multin\u00edvel tem uma toler\u00e2ncia ao ru\u00eddo extremamente rigorosa e exige uma otimiza\u00e7\u00e3o conjunta com algoritmos de programa\u00e7\u00e3o ECC e a n\u00edvel do sistema.<\/li>
  • Custo e rendimento: <\/strong>A introdu\u00e7\u00e3o de novos materiais e novas estruturas em linhas de produ\u00e7\u00e3o maduras traz inevitavelmente desafios em termos de custos, janelas de processo e qualidade de produ\u00e7\u00e3o em massa.<\/li><\/ul>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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    Por estas raz\u00f5es, a ind\u00fastria acredita geralmente que, a curto prazo (1-3 anos), as pastilhas de amostra ou os produtos de pequena escala podem aparecer primeiro em mercados para fins especiais ou de elevado valor, ao passo que a entrada no mercado de armazenamento de grande consumo ou empresarial demorar\u00e1 mais tempo.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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    Em geral, a nova arquitetura Fe-NAND anunciada pela Samsung SAIT em Natureza<\/em>\u00a0mostra uma poss\u00edvel dire\u00e7\u00e3o futura para o Flash NAND: conseguir uma grande melhoria na efici\u00eancia energ\u00e9tica sem sacrificar a capacidade ou a densidade de armazenamento. Se os futuros progressos de engenharia decorrerem sem problemas, esta tecnologia pode tornar-se uma base fundamental para a pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o de mem\u00f3ria n\u00e3o vol\u00e1til de baixo consumo - especialmente significativa numa era de consumo elevado de energia e orientada para a IA.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    De acordo com a investiga\u00e7\u00e3o, ao combinar semicondutores ferroel\u00e9ctricos e semicondutores de \u00f3xido, a nova c\u00e9lula NAND consegue uma redu\u00e7\u00e3o de energia superior a 90% durante as opera\u00e7\u00f5es em cadeia e apresenta tamb\u00e9m uma elevada escalabilidade e capacidade de armazenamento multi-bit. <\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":13698,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-13690","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=13690"}],"version-history":[{"count":11,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":13702,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions\/13702"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media\/13698"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=13690"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=13690"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=13690"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}