O flash NAND foi inventado há cerca de quarenta anos e tornou-se um produto amplamente utilizado em dispositivos electrónicos. Como a tecnologia flash NAND pode reter dados sem energia, é ideal para aplicações de armazenamento interno e externo. Em comparação com os discos tradicionais, a memória flash NAND tem vantagens como um tamanho mais pequeno, um funcionamento mais silencioso e uma maior estabilidade. Além disso, como a memória flash não tem partes mecânicas, é mais resistente a choques. Estas vantagens levaram a uma adoção generalizada em vários mercados e impulsionaram o desenvolvimento de diferentes tipos de flash NAND. Existem quatro tipos principais de flash NAND: SLC, MLC, TLC e QLC .
SLC (célula de nível único)
SLC é o tipo de memória NAND de mais alto desempenho. Cada célula de memória armazena apenas 1 bit de dados, o que significa que cada célula tem apenas dois estados: 0 ou 1. Como só precisa de distinguir entre dois estados, a SLC tem velocidades de leitura e escrita muito rápidas. Tem também uma longa resistência à escrita, atingindo normalmente 100.000 ciclos de programação/apagamento. Isto faz com que o SLC se destaque em termos de fiabilidade e durabilidade dos dados, sendo adequado para aplicações que exigem um elevado desempenho e fiabilidade, como a utilização industrial, o armazenamento empresarial e a computação de elevado desempenho.
No entanto, o custo de fabrico da SLC é relativamente elevado porque cada célula de memória pode armazenar apenas 1 bit de dados, o que resulta numa menor densidade de armazenamento. Por conseguinte, o custo por gigabyte é mais elevado, o que limita a sua utilização generalizada em aplicações de armazenamento de elevada capacidade.
MLC (Célula de vários níveis)
O MLC é uma versão evoluída do SLC, com cada célula de memória capaz de armazenar 2 bits de dados, o que significa que cada célula tem quatro estados: 00, 01, 10 e 11. Em comparação com a SLC, a MLC tem uma maior densidade de armazenamento e, por conseguinte, um custo mais baixo por gigabyte. No entanto, o MLC tem velocidades de escrita e leitura mais lentas do que o SLC porque precisa de distinguir mais estados. Além disso, a resistência à escrita do MLC é mais curta, variando geralmente entre 3.000 e 10.000 ciclos de programação/apagamento.
Apesar de ser inferior ao SLC em termos de velocidade e durabilidade, o MLC oferece vantagens significativas em termos de capacidade de armazenamento e custo, o que o torna adequado para unidades de estado sólido (SSDs) industriais e de consumo.
TLC (Célula de triplo nível)
A TLC aumenta ainda mais a densidade de armazenamento, com cada célula de memória capaz de armazenar 3 bits de dados, o que significa que cada célula tem oito estados: 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110 e 111. Em comparação com o MLC, o TLC tem uma densidade de armazenamento ainda maior e, por conseguinte, um custo mais baixo por gigabyte. Isto torna a TLC muito adequada para aplicações que requerem grandes capacidades de armazenamento, como SSDs de alta capacidade, Unidades flash USB e cartões de memória.
No entanto, à medida que a densidade de armazenamento aumenta, a resistência de escrita é mais curta, normalmente cerca de 500 a 1.000 ciclos de programação/apagamento. Mas para a maioria das aplicações de consumo, o desempenho do TLC continua a ser adequado.
QLC (Célula de quatro níveis)
A QLC é atualmente o tipo de memória NAND com a maior densidade de armazenamento, com cada célula de memória capaz de armazenar 4 bits de dados, o que significa que cada célula tem dezasseis estados: 0000, 0001, 0010, 0011, 0100, 0101, 0110, 0111, 1000, 1001, 1010, 1011, 1100, 1101, 1110 e 1111. Normalmente, o QLC tem o custo de fabrico mais baixo, o que o torna muito vantajoso para dispositivos de armazenamento que requerem capacidades extremamente grandes a baixo custo.
A QLC tem uma resistência de escrita mais curta do que a TLC, normalmente cerca de 150 ciclos de programação/apagamento. Mas para utilização no escritório e em casa, a duração é suficiente. A QLC é adequada para aplicações que necessitam de capacidades de armazenamento muito grandes, mas com requisitos de preços mais baixos.
