{"id":18391,"date":"2026-06-25T15:15:13","date_gmt":"2026-06-25T07:15:13","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=18391"},"modified":"2026-06-25T15:15:55","modified_gmt":"2026-06-25T07:15:55","slug":"what-is-write-amplification-the-hidden-write-cost-of-ssd","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/news\/what-is-write-amplification-the-hidden-write-cost-of-ssd\/","title":{"rendered":"Che cos\u2019\u00e8 l\u2019amplificazione di scrittura? Il costo nascosto della scrittura sugli SSD"},"content":{"rendered":"
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Nell'era di dischi rigidi meccanici<\/span><\/a>, i nuovi dati possono essere sovrascritti direttamente nella posizione di archiviazione originale. La quantit\u00e0 di dati che il computer richiede di scrivere corrisponde esattamente alla quantit\u00e0 che il disco rigido registra fisicamente. Unit\u00e0 a stato solido (SSD)<\/span><\/a> funzionano in modo completamente diverso, il che d\u00e0 origine a un fenomeno unico chiamato \u201camplificazione di scrittura\u201d. L\u2019amplificazione di scrittura \u00e8 un fenomeno esclusivo delle unit\u00e0 SSD. In parole povere, quando il computer invia una richiesta di scrittura a un\u2019unit\u00e0 SSD, la quantit\u00e0 totale di dati fisici scritti sui chip flash NAND \u00e8 maggiore rispetto ai dati logici richiesti dal sistema operativo a causa dei limiti fisici di Flash NAND<\/span><\/a>.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Immagina di voler modificare il testo su una pagina del quaderno. Ma non vi \u00e8 permesso cancellare direttamente le vecchie parole. Dovete scrivere il nuovo contenuto su pagine bianche e contrassegnare le vecchie pagine come inutili. Man mano che le pagine bianche si esauriscono, dovete riorganizzare l\u2019intero quaderno: copiare tutto il testo ancora utile su pagine bianche di un quaderno nuovo di zecca, quindi cancellare l\u2019intero vecchio quaderno in modo che possa essere riutilizzato in seguito. Il numero totale di pagine che finisci per scrivere \u00e8 di gran lunga superiore al breve testo che inizialmente volevi modificare. Questo lavoro di scrittura in pi\u00f9 \u00e8 una semplice metafora della \u201cwrite amplification\u201d.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Indicatore chiave di misurazione<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Il parametro chiave che misura l'entit\u00e0 dell'amplificazione di scrittura \u00e8 denominato Fattore di amplificazione in scrittura, abbreviato in WAF<\/strong>. Segue una formula fissa e chiara:<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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WAF = Dati fisici totali scritti nella memoria Flash \/ Dati logici totali richiesti dall'host<\/em><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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In uno scenario ideale, la memoria flash scrive esattamente la stessa quantit\u00e0 di dati richiesta dall\u2019host, il che determina un valore WAF pari a 1. Tuttavia, le caratteristiche fisiche della memoria flash NAND rendono questo stato ideale quasi impossibile nell\u2019uso pratico. In condizioni operative normali, il WAF \u00e8 sempre superiore a 1. Un WAF pi\u00f9 elevato comporta un maggiore sovraccarico interno di scrittura all\u2019interno dell\u2019SSD, il che accelera l\u2019usura della memoria flash e compromette le prestazioni.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Cause alla radice dell'amplificazione in scrittura<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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L'amplificazione della scrittura non \u00e8 un difetto di progettazione degli SSD. Si tratta di un fenomeno inevitabile dovuto ai limiti fisici della memoria flash NAND, combinati con i numerosi processi di manutenzione automatica in esecuzione all'interno dell'unit\u00e0.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Limiti fisici della memoria flash NAND<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Questo \u00e8 il presupposto fondamentale affinch\u00e9 si verifichi l\u2019amplificazione di scrittura. A differenza dei dischi rigidi meccanici che supportano la sovrascrittura in loco, la memoria flash NAND ha regole rigide di lettura e scrittura: non \u00e8 possibile sostituire direttamente i vecchi dati nella loro posizione originale di archiviazione. \u00c8 necessario cancellare completamente un blocco prima di scriverci nuovi dati. A peggiorare la situazione \u00e8 la discrepanza tra l\u2019unit\u00e0 di scrittura pi\u00f9 piccola e l\u2019unit\u00e0 di cancellazione pi\u00f9 piccola. L\u2019unit\u00e0 pi\u00f9 piccola per la scrittura dei dati \u00e8 una pagina, simile a un singolo foglio di carta. L\u2019unit\u00e0 pi\u00f9 piccola per la cancellazione dei dati \u00e8 un blocco, che contiene centinaia di pagine, come un intero capitolo. Non \u00e8 possibile cancellare una sola pagina; \u00e8 necessario cancellare l\u2019intero blocco in una sola volta.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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A causa di questa limitazione, gli SSD utilizzano un modello di aggiornamento \"out-of-place\". Quando si modifica un file esistente, il controller dell'SSD non modifica la pagina che contiene i dati precedenti. Scrive invece i nuovi dati su pagine libere e contrassegna le pagine precedenti come non valide, in vista di una successiva pulizia. Questa impossibilit\u00e0 di riscrivere i dati nella loro posizione originale \u00e8 all'origine di tutto il sovraccarico di scrittura aggiuntivo.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Riscrizioni dei dati dovute alla garbage collection<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Raccolta dei rifiuti<\/span><\/a> \u00e8 la principale causa dell'amplificazione delle operazioni di scrittura. Man mano che i dati vengono salvati, il numero di blocchi liberi all'interno dell'SSD diminuisce. Il controllore<\/span><\/a> esegue automaticamente la garbage collection per liberare spazio di archiviazione utilizzabile. Il suo flusso di lavoro completo funziona come segue: il controller seleziona un blocco vecchio con un\u2019alta percentuale di pagine non valide, legge tutti i dati ancora validi all\u2019interno del blocco, copia i dati validi in blocchi liberi completamente nuovi, quindi cancella completamente il blocco vecchio per trasformarlo nuovamente in spazio utilizzabile. Durante questo processo di copia dei dati, n\u00e9 l\u2019utente n\u00e9 il sistema operativo inviano nuovi comandi di scrittura. Tuttavia, l\u2019SSD deve riscrivere automaticamente i dati validi al solo scopo di liberare spazio di archiviazione. Queste operazioni di scrittura interne costituiscono la parte principale dell\u2019amplificazione di scrittura.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Migrazione dei dati dal livellamento dell'usura<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Il meccanismo di livellamento dell'usura<\/span><\/a> crea inoltre un sovraccarico di scrittura aggiuntivo. Ogni blocco flash ha un numero massimo fisso di cicli di cancellazione, noti come cicli P\/E. Se un piccolo gruppo di blocchi viene cancellato e riscritto costantemente, questi esauriranno prematuramente la loro durata di vita e causeranno il malfunzionamento dell'intero SSD. Per bilanciare la velocit\u00e0 di usura tra tutti i blocchi flash, il controller esegue il livellamento dell\u2019usura in background. Per i dati inattivi (file che non vengono modificati da molto tempo), il controller li sposta dai blocchi con pochi cicli di cancellazione a quelli con molti cicli di cancellazione. In questo modo riserva i blocchi con una lunga durata residua ai dati attivi, che vengono riscritti frequentemente. Questo spostamento dei dati, effettuato per bilanciare l\u2019usura, aumenta il numero totale di scritture fisiche e fa salire il valore WAF.<\/span><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Overhead dei metadati per la gestione interna<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Oltre ai due processi principali sopra descritti, la gestione interna dell\u2019SSD genera piccole ma continue operazioni di scrittura aggiuntive. La tabella di mappatura FTL, che traduce gli indirizzi logici in posizioni fisiche della memoria flash, i registri dei blocchi danneggiati, che riportano le aree di archiviazione compromesse, e le tabelle di conteggio dell\u2019usura, che tengono traccia dei cicli di cancellazione per ciascun blocco, vengono aggiornate costantemente durante la lettura e la scrittura dei file. Ogni aggiornamento consuma risorse di scrittura della memoria flash. Anche attivit\u00e0 aggiuntive, come la scrittura dei codici di correzione degli errori ECC insieme ai dati utente e lo spostamento dei dati per sostituire i blocchi danneggiati, contribuiscono al totale delle operazioni di scrittura fisica, agendo come fattori secondari nell\u2019amplificazione della scrittura.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Fattori chiave che influenzano il WAF<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Il valore del WAF non \u00e8 fisso. Varia notevolmente in base alle specifiche hardware dell'SSD, alle abitudini dell'utente e alle impostazioni di sistema. Ci sono cinque fattori principali che determinano quanto sar\u00e0 alto o basso il WAF.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Over-provisioning e spazio di archiviazione libero<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Per \u201cover-provisioning\u201d (OP) si intende lo spazio flash aggiuntivo riservato dai produttori di SSD a cui gli utenti non possono accedere n\u00e9 utilizzare. Questo spazio \u00e8 riservato esclusivamente ad attivit\u00e0 interne quali la garbage collection, il livellamento dell\u2019usura e la sostituzione dei blocchi danneggiati. Un rapporto di over-provisioning pi\u00f9 elevato offre alla garbage collection un maggior numero di blocchi liberi tra cui scegliere, riduce la quantit\u00e0 di dati validi da copiare per ogni blocco riciclato e abbassa il WAF.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Oltre all\u2019over-provisioning predefinito in fabbrica, lo spazio libero nelle partizioni utente offre lo stesso effetto di ottimizzazione. Quando il comando TRIM \u00e8 abilitato, una maggiore quantit\u00e0 di spazio libero all\u2019interno dell\u2019SSD rende pi\u00f9 efficiente l\u2019esecuzione della garbage collection. Se l\u2019SSD \u00e8 quasi pieno, i blocchi liberi scarseggiano. Il controller deve copiare i dati con frequenza molto maggiore e il WAF registra un picco netto.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Modelli di carico di lavoro di scrittura<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Il modo in cui i dati vengono scritti determina direttamente il livello di base dell\u2019amplificazione di scrittura (WAF). La scrittura sequenziale si verifica solitamente durante la copia di video di grandi dimensioni o di file di immagine disco. I dati riempiono i blocchi flash in modo continuo e, quando vengono eliminati, interi blocchi diventano non validi contemporaneamente. La garbage collection non ha quasi bisogno di copiare dati validi, quindi il WAF rimane molto vicino a 1. Mentre rLa scrittura casuale riguarda molti file di piccole dimensioni sparsi, log di sistema e file di cache. I dati sono distribuiti su diversi blocchi flash e in ciascun blocco solo poche pagine diventano non valide. La garbage collection deve copiare grandi quantit\u00e0 di contenuto valido, il che aumenta notevolmente il WAF. Tra gli scenari comuni di scrittura casuale figurano la cache dei software per l'ufficio, i file temporanei dei browser e gli aggiornamenti frequenti delle app.<\/span><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Stato del comando TRIM<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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TRIM<\/span><\/a> \u00e8 un comando speciale del protocollo di trasmissione progettato appositamente per gli SSD. La sua funzione principale \u00e8 quella di condividere lo stato dei dati tra il sistema operativo e l'unit\u00e0 a stato solido. Normalmente, l'eliminazione di un file si limita a contrassegnare l'indice del file come non valido nel sistema. Non comunica all'SSD che i dati correlati non sono pi\u00f9 necessari. Il controller non \u00e8 in grado di distinguere le pagine valide da quelle non valide e copia tutte le pagine durante la garbage collection, generando scritture aggiuntive non necessarie.\u00a0Quando la funzione TRIM \u00e8 attivata, il sistema comunica all\u2019SSD quali indirizzi logici contengono dati inutili subito dopo la cancellazione dei file. Il controller contrassegna in anticipo queste pagine come eliminabili. La garbage collection evita di copiare dati non validi, riduce significativamente il volume di scrittura superfluo e riduce efficacemente il WAF.<\/span><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Tipi di memoria flash NAND<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Le diverse architetture dei chip flash presentano livelli di amplificazione di scrittura di base diversi. Da SLC, MLC, TLC fino a QLC, la densit\u00e0 di archiviazione continua ad aumentare. Allo stesso tempo, le dimensioni delle pagine e dei blocchi flash diventano sempre pi\u00f9 grandi, il che aumenta il sovraccarico legato alla copia dei dati durante la garbage collection e fa salire gradualmente il valore di base del WAF. I chip QLC e TLC ad alta densit\u00e0 hanno una durata nativa dei cicli P\/E pi\u00f9 breve, pertanto la riduzione della durata causata dall\u2019amplificazione di scrittura diventa pi\u00f9 evidente. Rispetto alla vecchia tecnologia 2D NAND, la 3D NAND presenta blocchi di dimensioni maggiori, ma un firmware ottimizzato garantisce un migliore controllo del WAF. Inoltre, i suoi cicli P\/E pi\u00f9 lunghi compensano in parte l\u2019impatto negativo derivante dalla sua struttura fisica.<\/span><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Strategia della cache SLC<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Quasi tutti gli SSD TLC e QLC destinati al mercato consumer utilizzano un meccanismo di cache SLC. Una parte dei chip flash viene configurata per funzionare in modalit\u00e0 SLC veloce, al fine di gestire le richieste di scrittura in arrivo. I dati vengono inizialmente scritti rapidamente nell\u2019area di cache SLC. Quando l\u2019SSD \u00e8 inattivo, il controller sposta i dati memorizzati nella cache nelle aree di archiviazione native TLC o QLC.\u00a0Questo processo, che consiste nel scrivere due volte gli stessi dati nella memoria flash, fa aumentare il WAF.\u00a0<\/span><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Impatti dell'amplificazione di scrittura sugli SSD<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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L'amplificazione in scrittura genera un sovraccarico nascosto all'interno degli SSD, che non risulta direttamente visibile nelle statistiche relative alla velocit\u00e0 di lettura\/scrittura del sistema. Tuttavia, a lungo termine influisce negativamente sull'esperienza d'uso dell'unit\u00e0 in tre ambiti chiave: durata, prestazioni operative, consumo energetico e surriscaldamento.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Riduzione della durata di vita del flash.<\/strong> Questo \u00e8 l'effetto negativo pi\u00f9 grave dell'amplificazione di scrittura. Ogni blocco di memoria flash ha un limite massimo fisso di cicli di cancellazione, denominato \"cicli P\/E\", che costituisce lo standard fondamentale per valutare Durata di vita dell'SSD<\/span><\/a>. L'amplificazione della scrittura aumenta inutilmente la frequenza di cancellazione della memoria flash e accelera il consumo della durata di vita.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Prestazioni di scrittura ridotte in condizioni reali.<\/strong> Le massicce copie dei dati in background causate dall\u2019amplificazione di scrittura occupano la larghezza di banda di lettura\/scrittura dei canali flash e sottraggono risorse hardware alle normali operazioni di scrittura degli utenti. Un WAF pi\u00f9 elevato implica che l\u2019unit\u00e0 debba eseguire un numero maggiore di operazioni interne di lettura e scrittura per elaborare la stessa richiesta di scrittura proveniente dall\u2019host. Ci\u00f2 aumenta la latenza di scrittura e riduce sensibilmente le velocit\u00e0 di scrittura sostenute.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Maggiore assorbimento di potenza e rischi legati al surriscaldamento.<\/strong> Ogni operazione di lettura, scrittura e cancellazione sulla memoria flash consuma energia elettrica e genera calore. Un valore WAF pi\u00f9 elevato comporta un maggior numero di operazioni di copia interne superflue all\u2019interno dell\u2019SSD, il che aumenta il consumo energetico complessivo. E nel caso di laptop, tablet e altri dispositivi portatili, un consumo energetico pi\u00f9 elevato riduce l\u2019autonomia della batteria.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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I consumatori comuni devono prestare attenzione al WAF?<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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In realt\u00e0, la maggior parte degli utenti che utilizzano il sistema quotidianamente non ha bisogno di prestare particolare attenzione al valore WAF n\u00e9 di misurarlo frequentemente. Per un utilizzo leggero, che comprenda attivit\u00e0 d\u2019ufficio, navigazione web, streaming video e giochi standard, il volume giornaliero di scrittura dei dati sull\u2019SSD rimane basso. Anche se il valore WAF dovesse variare, l\u2019unit\u00e0 \u00e8 in grado di funzionare senza problemi per 5-10 anni entro la durata nominale di cancellazione. \u00c8 praticamente impossibile usurare la memoria flash con un utilizzo regolare. Inoltre, i controller SSD di nuova generazione e il firmware collaudato riducono efficacemente l\u2019amplificazione di scrittura, quindi gli utenti non avvertono praticamente alcun impatto negativo durante l\u2019uso quotidiano.<\/span><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Solo gli utenti che effettuano un numero elevato di operazioni di scrittura potrebbero dover prestare particolare attenzione a questo fattore. Questo gruppo comprende chi si occupa di editing video 4K\/8K per lunghe ore, trasferimenti quotidiani di grandi quantit\u00e0 di file, operazioni di download 24 ore su 24 e archiviazione di database locali. Il loro elevato volume giornaliero di dati scritti fa s\u00ec che l\u2019amplificazione di scrittura acceleri in modo evidente l\u2019invecchiamento delle memorie flash.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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L'amplificazione in scrittura \u00e8 una caratteristica intrinseca e inevitabile dell'architettura di archiviazione degli SSD. La sua origine risiede nelle regole specifiche di lettura-cancellazione-scrittura della memoria flash NAND, e rappresenta un sovraccarico interno necessario affinch\u00e9 le unit\u00e0 possano riscrivere i dati, bilanciare l'usura e liberare spazio di archiviazione.\u00a0Gli utenti comuni non devono considerare l'amplificazione di scrittura come una minaccia nascosta alle prestazioni del disco. \u00c8 sufficiente adottare alcune buone abitudini, come mantenere spazio libero sul disco e assicurarsi che il comando TRIM funzioni correttamente, per ridurre notevolmente gli effetti negativi dell'amplificazione di scrittura e godere al contempo delle elevate velocit\u00e0 di lettura e scrittura offerte dagli SSD.<\/span><\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

L'amplificazione in scrittura \u00e8 un fenomeno esclusivo delle unit\u00e0 SSD. In parole povere, quando il computer invia una richiesta di scrittura a un'unit\u00e0 SSD, la quantit\u00e0 totale di dati fisici scritti sui chip flash NAND \u00e8 superiore alla quantit\u00e0 di dati logici richiesti dal sistema operativo.<\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":18486,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-18391","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/18391","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=18391"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/18391\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/18486"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=18391"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=18391"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=18391"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}