{"id":17877,"date":"2026-05-27T10:56:25","date_gmt":"2026-05-27T02:56:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=17877"},"modified":"2026-05-27T10:58:07","modified_gmt":"2026-05-27T02:58:07","slug":"sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/news\/sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management\/","title":{"rendered":"SK Hynix iHBM: un nuovo percorso per la gestione del calore dei chip AI"},"content":{"rendered":"
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Con la crescita dei modelli di IA, memoria ad alta larghezza di banda (HBM)<\/span><\/a> \u00e8 costruito con pi\u00f9 strati e velocit\u00e0 pi\u00f9 elevate per tenere il passo. Tuttavia, questo aumenta il calore, specialmente nello strato fisico die-to-die (D2D PHY), l'interfaccia che gestisce il trasferimento dati ultraveloce tra HBM e il chip AI. Questa piccola area diventa il punto pi\u00f9 caldo del chip. L'HBM tradizionale costringe il calore ad attraversare diversi strati del core die prima di poter fuoriuscire, un percorso lungo e inefficiente. Se il calore non viene rimosso rapidamente, la temperatura del chip aumenta e si attiva il throttling, un meccanismo di autoprotezione che riduce le prestazioni. Risolvere questo collo di bottiglia termico \u00e8 essenziale per sbloccare la piena potenza dei chip AI di prossima generazione.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Componente principale e funzionamento di iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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SK Hynix ha proposto una soluzione al problema del calore chiamata memoria integrata ad alta larghezza di banda, o iHBM. Il cuore di questa tecnologia \u00e8 uno speciale componente di raffreddamento incorporato nella HBM. Questo componente \u00e8 chiamato ICE. L'ICE \u00e8 costituito da un materiale a base di silicio. Questo materiale ha due propriet\u00e0 chiave allo stesso tempo. In primo luogo, ha un'elevata conduttivit\u00e0 termica, il che significa che trasferisce il calore in modo efficiente. In secondo luogo, \u00e8 elettricamente isolante, quindi pu\u00f2 essere collocato in modo sicuro tra i circuiti densi senza causare cortocircuiti. Il componente ICE \u00e8 posizionato direttamente nell'area D2D PHY, dove il calore \u00e8 pi\u00f9 concentrato e lo scambio di dati fra HBM e processore \u00e8 pi\u00f9 intenso.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nella progettazione HBM tradizionale, il calore deve passare attraverso pi\u00f9 strati del core die prima di lasciare il chip. Questo percorso \u00e8 lungo. iHBM cambia questo percorso. Utilizzando il componente ICE incorporato, crea un canale di calore dedicato all'interno del chip. Il calore pu\u00f2 ora viaggiare quasi direttamente dalla sorgente all'involucro del package o al diffusore di calore, senza passare attraverso molti strati funzionali. Questo accorcia il percorso del calore e riduce la resistenza che il calore incontra lungo il percorso.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Dal punto di vista della produzione, iHBM si basa sulla tecnologia di packaging a livello di wafer MR-MUF di SK Hynix, gi\u00e0 prodotta in serie. MR-MUF \u00e8 l'acronimo di mass reflow molded underfill, un processo che garantisce un'elevata efficienza produttiva e una buona resa. L'aggiunta della fase di incorporazione dei componenti ICE a questo processo esistente rende possibile la produzione di massa di iHBM.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Vantaggi principali di iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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La tecnologia iHBM offre diversi vantaggi evidenti modificando il percorso del calore.<\/p>