{"id":13690,"date":"2025-11-28T14:20:03","date_gmt":"2025-11-28T06:20:03","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=13690"},"modified":"2025-11-28T14:20:42","modified_gmt":"2025-11-28T06:20:42","slug":"new-nand-flash-architecture-published-in-nature","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/news\/new-nand-flash-architecture-published-in-nature\/","title":{"rendered":"Nuova architettura NAND Flash pubblicata su Nature"},"content":{"rendered":"
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Il 27 novembre 2025, il SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), l'organizzazione di ricerca completa di Samsung Electronics, ha annunciato che il suo team ha pubblicato un risultato rivoluzionario su una nuova architettura NAND Flash sulla rivista internazionale pi\u00f9 prestigiosa. Natura<\/em><\/a><\/span>. Secondo la ricerca, combinando semiconduttori ferroelettrici<\/strong>\u00a0e semiconduttori a ossido<\/strong>, la nuova cella NAND pu\u00f2 raggiungere oltre la riduzione di potenza 90%<\/strong>\u00a0durante le operazioni di stringa e mostra anche un'elevata scalabilit\u00e0 e capacit\u00e0 di memorizzazione multi-bit. Si prevede che questa tecnologia avr\u00e0 un forte impatto sull'efficienza energetica dei data center AI e dei dispositivi mobili.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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La nuova architettura consente di ottenere un consumo di energia bassissimo e una memorizzazione a pi\u00f9 livelli<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Secondo Samsung SAIT, la struttura FeFET\/Fe-NAND proposta nel documento utilizza le caratteristiche di polarizzazione dei film sottili ferroelettrici per memorizzare i dati. Questo riduce notevolmente la dipendenza dall'alta tensione e dalla grande energia di scrittura che si riscontra nelle strutture tradizionali a porta flottante o a trappola di carica.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Allo stesso tempo, i semiconduttori a ossido hanno una corrente di dispersione estremamente bassa, che consente alla stringa NAND di funzionare con una corrente di dispersione quasi nulla. tensione di passaggio<\/strong>\u00a0durante i processi di lettura\/scrittura. Questa combinazione di materiali comporta direttamente un'enorme riduzione del consumo energetico. I dati riportati nel documento indicano che durante le tipiche operazioni di stringa, la nuova struttura pu\u00f2 raggiungere pi\u00f9 di 90% e fino a circa 96% risparmio energetico<\/strong>.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Ancora pi\u00f9 promettente \u00e8 il fatto che la struttura ferroelettrica supporta naturalmente l'immagazzinamento multilivello. Gli esperimenti dimostrano che pu\u00f2 raggiungere fino a 5 bit per cella<\/strong>Ci\u00f2 significa che la densit\u00e0 di memorizzazione futura pu\u00f2 aumentare in un'area limitata, eguagliando e persino superando l'attuale direzione QLC (4 bit) del settore.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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I data center e i dispositivi mobili AI ne trarranno grande beneficio<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Questa tecnologia \u00e8 considerata un'aggiunta dirompente alle attuali architetture NAND, soprattutto in un momento in cui il consumo di energia \u00e8 diventato un importante collo di bottiglia.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nei data center di intelligenza artificiale, l'addestramento e l'inferenza dei modelli richiedono la lettura e la scrittura frequente di enormi insiemi di dati, facendo aumentare costantemente il consumo energetico dello storage. Se la nuova Fe-NAND riuscir\u00e0 a raggiungere la produzione di massa dopo lo sviluppo ingegneristico, la sua riduzione della potenza operativa di 90% aumenter\u00e0 direttamente l'efficienza energetica complessiva dei data center, abbasser\u00e0 i costi dell'elettricit\u00e0 e ridurr\u00e0 la pressione della generazione di calore per le grandi strutture di calcolo.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nei dispositivi mobili ed edge, i vantaggi in termini di potenza di scrittura e di standby prolungheranno la durata della batteria e supporteranno un'elaborazione dell'intelligenza artificiale pi\u00f9 complessa sul dispositivo, in particolare per l'inferenza offline, le attivit\u00e0 di rilevamento continuo e il caching dei dati ad alta larghezza di banda.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nel frattempo, i dispositivi ferroelettrici sono naturalmente adatti anche per il futuro. calcolo in memoria<\/strong>\u00a0architetture, offrendo un potenziale per l'hardware neuromorfico.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Prima della produzione di massa \u00e8 necessario risolvere diverse sfide ingegneristiche<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Sebbene i risultati del documento siano entusiasmanti, gli esperti del settore sottolineano che i prodotti commerciali richiederanno il superamento di diverse barriere ingegneristiche, tra cui:<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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  • Compatibilit\u00e0 di produzione: <\/strong>La deposizione e il trattamento termico dei film sottili ferroelettrici - e la loro compatibilit\u00e0 con i processi V-NAND 3D esistenti - necessitano di ulteriori convalide, soprattutto per quanto riguarda la resa e la stabilit\u00e0 nelle strutture ad alto stack.<\/li>
  • Resistenza e conservazione dei dati: <\/strong>Le NAND commerciali richiedono un numero di cicli di scrittura e di conservazione dei dati a lungo termine molto maggiore rispetto agli esperimenti accademici. Le prestazioni a lungo termine dei materiali ferroelettrici in grandi array necessitano di ulteriori test.<\/li>
  • Coerenza del dispositivo e controllo degli errori: <\/strong>La programmazione multilivello ha una tolleranza al rumore estremamente rigida e richiede un'ottimizzazione congiunta con gli algoritmi di programmazione a livello di sistema e di ECC.<\/li>
  • Costo e resa: <\/strong>L'introduzione di nuovi materiali e nuove strutture in linee di produzione mature comporta inevitabilmente sfide in termini di costi, finestre di processo e qualit\u00e0 della produzione di massa.<\/li><\/ul>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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    Per questi motivi, il settore ritiene in generale che a breve termine (1-3 anni) i chip campione o i prodotti su piccola scala potrebbero apparire per primi nei mercati speciali o di alto valore, mentre l'ingresso nell'immagazzinamento mainstream dei consumatori o delle aziende richieder\u00e0 pi\u00f9 tempo.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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    Complessivamente, la nuova architettura Fe-NAND annunciata da Samsung SAIT in Natura<\/em>\u00a0mostra una possibile direzione futura per la NAND Flash: ottenere un notevole miglioramento dell'efficienza energetica senza sacrificare la capacit\u00e0 o la densit\u00e0 di memorizzazione. Se i futuri progressi ingegneristici procederanno senza intoppi, questa tecnologia potrebbe diventare una base fondamentale per la prossima generazione di memorie non volatili a basso consumo, particolarmente significativa in un'era guidata dall'intelligenza artificiale e ad alto consumo energetico.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    Secondo la ricerca, combinando semiconduttori ferroelettrici e semiconduttori ossidi, la nuova cella NAND pu\u00f2 ottenere una riduzione di potenza di oltre 90% durante le operazioni di stringa e mostra anche un'elevata scalabilit\u00e0 e capacit\u00e0 di memorizzazione multi-bit. <\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":13698,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-13690","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=13690"}],"version-history":[{"count":11,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":13702,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions\/13702"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/13698"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=13690"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=13690"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=13690"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}