Quando l'amministratore delegato di Phison Electronics, Pua Khein-Seng, ha dichiarato pubblicamente che "la capacità di produzione di NAND per il 2026 è già stata completamente prenotata", l'intera catena di fornitura dei semiconduttori è stata spinta in un nuovo ciclo di discussioni.

Le operazioni di lettura e scrittura delle unità SSD seguono regole uniche a livello fisico e queste regole fondamentali ne determinano le prestazioni. I principi fondamentali possono essere compresi attraverso i seguenti punti.

La HBM si differenzia dalla memoria DDR tradizionale per il suo design di interconnessione verticale 3D TSV (Through-Silicon Via). Più die di DRAM sono impilati verticalmente e collegati attraverso vias di silicio, quindi impacchettati insieme a un die logico (tipicamente una GPU o un acceleratore AI) su un interposer di silicio.

Secondo quanto riportato dal pubblico, il gigante delle memorie flash SanDisk ha annunciato un aumento significativo dei prezzi contrattuali delle memorie NAND flash per il mese di novembre, con un incremento fino a 50%. Questa notizia ha immediatamente attirato l'attenzione dell'intera filiera dello storage e ha portato il settore a riconsiderare le future tendenze del mercato.

Possiamo immaginare un'unità SSD come una città intelligente gestita in modo efficiente. I chip NAND flash che memorizzano i dati sono come i terreni e gli edifici della città, che forniscono lo spazio fisico per l'archiviazione dei dati. Il controller dell'SSD è come il governo della città e il centro di controllo del traffico.