{"id":13690,"date":"2025-11-28T14:20:03","date_gmt":"2025-11-28T06:20:03","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=13690"},"modified":"2025-11-28T14:20:42","modified_gmt":"2025-11-28T06:20:42","slug":"new-nand-flash-architecture-published-in-nature","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/news\/new-nand-flash-architecture-published-in-nature\/","title":{"rendered":"Nouvelle architecture NAND Flash publi\u00e9e dans Nature"},"content":{"rendered":"
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Le 27 novembre 2025, le SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), l'organisme de recherche global de Samsung Electronics, a annonc\u00e9 que son \u00e9quipe avait publi\u00e9 un r\u00e9sultat r\u00e9volutionnaire sur une nouvelle architecture NAND Flash dans la revue internationale la plus prestigieuse. Nature<\/em><\/a><\/span>. Selon la recherche, en combinant semi-conducteurs ferro\u00e9lectriques<\/strong>\u00a0et semi-conducteurs \u00e0 base d'oxyde<\/strong>la nouvelle cellule NAND peut atteindre plus de 90% r\u00e9duction de puissance<\/strong>\u00a0pendant les op\u00e9rations sur les cha\u00eenes de caract\u00e8res et pr\u00e9sente \u00e9galement une grande \u00e9volutivit\u00e9 et une capacit\u00e9 de stockage multibits. Cette technologie devrait avoir un impact consid\u00e9rable sur l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique des centres de donn\u00e9es d'IA et des appareils mobiles.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Une nouvelle architecture pour une puissance ultra-faible et un stockage multiniveau<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Selon Samsung SAIT, la structure FeFET\/Fe-NAND propos\u00e9e dans l'article utilise les caract\u00e9ristiques de polarisation des films minces ferro\u00e9lectriques pour stocker les donn\u00e9es. Cela r\u00e9duit consid\u00e9rablement la d\u00e9pendance \u00e0 l'\u00e9gard d'une tension \u00e9lev\u00e9e et d'une grande \u00e9nergie d'\u00e9criture que l'on observe dans les structures traditionnelles \u00e0 porte flottante ou \u00e0 pi\u00e8ge \u00e0 charge.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Dans le m\u00eame temps, les semi-conducteurs \u00e0 oxyde ont un courant de fuite extr\u00eamement faible, ce qui permet \u00e0 la cha\u00eene NAND de fonctionner avec un courant quasi nul. tension de passage<\/strong>\u00a0pendant les processus de lecture\/\u00e9criture. Cette combinaison de mat\u00e9riaux entra\u00eene directement une baisse consid\u00e9rable de la consommation d'\u00e9nergie. Les donn\u00e9es pr\u00e9sent\u00e9es dans le document indiquent que lors d'op\u00e9rations typiques sur les cha\u00eenes de caract\u00e8res, la nouvelle structure peut atteindre plus de 90% et jusqu'\u00e0 environ 96% d'\u00e9conomies d'\u00e9nergie<\/strong>.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Plus prometteur encore, la structure ferro\u00e9lectrique prend naturellement en charge le stockage \u00e0 plusieurs niveaux. Les exp\u00e9riences montrent qu'elle peut atteindre jusqu'\u00e0 5 bits par cellule<\/strong>ce qui signifie que la densit\u00e9 de stockage future peut augmenter dans une zone limit\u00e9e, \u00e9galant et m\u00eame d\u00e9passant l'orientation QLC (4 bits) actuelle de l'industrie.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Les centres de donn\u00e9es d'IA et les appareils mobiles en b\u00e9n\u00e9ficieront grandement<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Cette technologie est consid\u00e9r\u00e9e comme un ajout perturbateur aux architectures NAND actuelles, en particulier \u00e0 une \u00e9poque o\u00f9 la consommation d'\u00e9nergie est devenue un goulot d'\u00e9tranglement majeur.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Dans les centres de donn\u00e9es d'intelligence artificielle, la formation et l'inf\u00e9rence de mod\u00e8les n\u00e9cessitent des lectures et des \u00e9critures fr\u00e9quentes d'\u00e9normes ensembles de donn\u00e9es, ce qui entra\u00eene une augmentation constante de la consommation d'\u00e9nergie du stockage. Si la nouvelle Fe-NAND peut atteindre la production de masse apr\u00e8s le d\u00e9veloppement technique, sa r\u00e9duction de la puissance de fonctionnement de 90% stimulera directement l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique globale des centres de donn\u00e9es, diminuera les co\u00fbts d'\u00e9lectricit\u00e9 et r\u00e9duira la pression de la g\u00e9n\u00e9ration de chaleur pour les grandes installations informatiques.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Dans les appareils mobiles et p\u00e9riph\u00e9riques, les avantages de la puissance d'\u00e9criture et de la puissance en veille prolongeront la dur\u00e9e de vie de la batterie et permettront un traitement plus complexe de l'IA sur l'appareil, en particulier pour l'inf\u00e9rence hors ligne, les t\u00e2ches de d\u00e9tection en continu et la mise en cache de donn\u00e9es \u00e0 large bande passante.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Par ailleurs, les dispositifs ferro\u00e9lectriques sont naturellement adapt\u00e9s aux futures technologies de l'information et de la communication (TIC). calcul en m\u00e9moire<\/strong>\u00a0offrant un potentiel pour le mat\u00e9riel neuromorphique.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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De nombreux d\u00e9fis techniques doivent \u00eatre relev\u00e9s avant la production en s\u00e9rie<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Bien que les r\u00e9sultats de l'\u00e9tude soient passionnants, les experts de l'industrie soulignent que les produits commerciaux devront surmonter plusieurs obstacles techniques :<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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  • Compatibilit\u00e9 de fabrication : <\/strong>Le d\u00e9p\u00f4t et le traitement thermique des films minces ferro\u00e9lectriques, ainsi que leur compatibilit\u00e9 avec les processus V-NAND 3D existants, doivent \u00eatre valid\u00e9s davantage, notamment en ce qui concerne le rendement et la stabilit\u00e9 des structures \u00e0 empilement \u00e9lev\u00e9.<\/li>
  • Endurance et conservation des donn\u00e9es : <\/strong>La technologie NAND commerciale n\u00e9cessite beaucoup plus de cycles d'\u00e9criture et de r\u00e9tention de donn\u00e9es \u00e0 long terme que les exp\u00e9riences universitaires. Les performances \u00e0 long terme des mat\u00e9riaux ferro\u00e9lectriques dans les grands r\u00e9seaux doivent \u00eatre test\u00e9es plus avant.<\/li>
  • Coh\u00e9rence des dispositifs et contr\u00f4le des erreurs : <\/strong>La programmation multi-niveaux a une tol\u00e9rance au bruit extr\u00eamement stricte et n\u00e9cessite une optimisation conjointe avec l'ECC et les algorithmes de programmation au niveau du syst\u00e8me.<\/li>
  • Co\u00fbt et rendement : <\/strong>L'introduction de nouveaux mat\u00e9riaux et de nouvelles structures dans des lignes de production matures pose in\u00e9vitablement des probl\u00e8mes de co\u00fbt, de fen\u00eatres de processus et de qualit\u00e9 de la production de masse.<\/li><\/ul>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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    Pour ces raisons, l'industrie estime g\u00e9n\u00e9ralement qu'\u00e0 court terme (1 \u00e0 3 ans), des \u00e9chantillons de puces ou des produits \u00e0 petite \u00e9chelle pourraient appara\u00eetre d'abord sur des march\u00e9s sp\u00e9cialis\u00e9s ou de grande valeur, tandis que l'entr\u00e9e sur le march\u00e9 du stockage grand public ou d'entreprise prendra plus de temps.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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    Dans l'ensemble, la nouvelle architecture Fe-NAND annonc\u00e9e par Samsung SAIT en Nature<\/em>\u00a0montre une orientation future possible pour la NAND Flash : r\u00e9aliser une am\u00e9lioration majeure de l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique sans sacrifier la capacit\u00e9 ou la densit\u00e9 de stockage. Si les progr\u00e8s techniques futurs se d\u00e9roulent sans encombre, cette technologie pourrait devenir un fondement essentiel de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration de m\u00e9moires non volatiles \u00e0 faible consommation d'\u00e9nergie, ce qui est particuli\u00e8rement important \u00e0 l'\u00e8re de l'intelligence artificielle et de la forte consommation d'\u00e9nergie.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    Selon la recherche, en combinant des semi-conducteurs ferro\u00e9lectriques et des semi-conducteurs \u00e0 base d'oxyde, la nouvelle cellule NAND peut r\u00e9duire la puissance de plus de 90% pendant les op\u00e9rations en cha\u00eene et pr\u00e9sente \u00e9galement une grande \u00e9volutivit\u00e9 et une capacit\u00e9 de stockage multibits. <\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":13698,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-13690","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=13690"}],"version-history":[{"count":11,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":13702,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions\/13702"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/13698"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=13690"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=13690"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=13690"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}