La mémoire flash à large bande passante n'est pas un support de stockage entièrement nouveau, mais plutôt une innovation architecturale intelligente. Son idée maîtresse est de combiner la mémoire flash 3D NAND que l'on trouve couramment dans notre vie quotidienne (utilisée dans les téléphones et les disques durs) avec la technologie avancée d'emballage et d'interconnexion de HBM, qui est couramment utilisée dans l'informatique à haute performance.

n 2025, l'intelligence artificielle (IA) a dépassé le stade de l'expérimentation et du déploiement initial pour entrer dans une phase de large application et de déploiement industriel à grande échelle. Qu'il s'agisse de l'apprentissage de modèles à très grande échelle ou de l'inférence à faible latence dans les applications commerciales, les scénarios d'utilisation de l'IA et les volumes de données augmentent de manière explosive.

Après près de deux ans de baisse des prix, le marché mondial de la flash NAND montre enfin des signes de reprise. Selon le dernier rapport du cabinet d'études TrendForce, les prix contractuels de la flash NAND devraient augmenter de 5% pour atteindre 10% au quatrième trimestre 2025.

La différence la plus fondamentale entre les disques durs externes et les disques SSD externes réside dans leurs méthodes de stockage interne des données, qui déterminent la quasi-totalité de leurs caractéristiques. Nous pouvons comprendre cela par une simple analogie : un disque dur externe est comme un vieux lecteur de disques vinyle, tandis qu'un disque SSD externe est comme une grande clé USB à grande vitesse.