{"id":17877,"date":"2026-05-27T10:56:25","date_gmt":"2026-05-27T02:56:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=17877"},"modified":"2026-05-27T10:58:07","modified_gmt":"2026-05-27T02:58:07","slug":"sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/news\/sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management\/","title":{"rendered":"SK Hynix iHBM: un nuevo camino para la gesti\u00f3n del calor de los chips de IA"},"content":{"rendered":"
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A medida que crecen los modelos de IA, memoria de gran ancho de banda (HBM)<\/span><\/a> se construye con m\u00e1s capas y velocidades m\u00e1s altas para mantener el ritmo. Sin embargo, esto aumenta el calor, sobre todo en la capa f\u00edsica entre chips (D2D PHY), la interfaz que gestiona la transferencia ultrarr\u00e1pida de datos entre la HBM y el chip de IA. Esta peque\u00f1a zona se convierte en el punto m\u00e1s caliente del chip. La HBM tradicional obliga al calor a recorrer varias capas del n\u00facleo antes de poder escapar, lo que supone un camino largo e ineficaz. Si el calor no se elimina r\u00e1pidamente, la temperatura del chip aumenta y se activa el estrangulamiento, un mecanismo de autoprotecci\u00f3n que reduce el rendimiento. Resolver este cuello de botella t\u00e9rmico es esencial para liberar toda la potencia de los chips de IA de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Componente principal y funcionamiento de iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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SK Hynix ha propuesto una soluci\u00f3n a este problema de calor denominada memoria integrada de gran ancho de banda, o iHBM. El n\u00facleo de esta tecnolog\u00eda es un componente especial de refrigeraci\u00f3n integrado en la HBM. Este componente se denomina ICE. ICE est\u00e1 hecho de un material basado en el silicio. Este material tiene dos propiedades clave al mismo tiempo. En primer lugar, tiene una alta conductividad t\u00e9rmica, lo que significa que transfiere el calor con eficacia. En segundo lugar, es el\u00e9ctricamente aislante, por lo que puede colocarse con seguridad entre circuitos densos sin provocar cortocircuitos. El componente ICE se coloca directamente en la zona D2D PHY, donde m\u00e1s se concentra el calor y m\u00e1s pesado es el intercambio de datos entre la HBM y el procesador.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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En el dise\u00f1o tradicional de HBM, el calor debe atravesar varias capas del n\u00facleo antes de salir del chip. Este camino es largo. iHBM cambia este camino. Al utilizar el componente ICE integrado, crea un canal de calor espec\u00edfico dentro del chip. Ahora, el calor puede ir casi directamente de la fuente a la carcasa o al disipador de calor, sin pasar por muchas capas funcionales. Esto acorta la trayectoria del calor y reduce la resistencia que encuentra en su camino.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Desde el punto de vista de la fabricaci\u00f3n, iHBM se basa en la tecnolog\u00eda de embalaje a nivel de oblea MR-MUF de SK Hynix, ya producida en serie. MR-MUF son las siglas de mass reflow molded underfill, un proceso que ofrece una alta eficiencia de producci\u00f3n y un buen rendimiento. La incorporaci\u00f3n de la etapa de incrustaci\u00f3n de componentes ICE a este proceso ya existente hace factible la producci\u00f3n en masa de iHBM.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Principales ventajas de iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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La tecnolog\u00eda iHBM ofrece varias ventajas claras al cambiar la trayectoria del calor.<\/p>