{"id":15814,"date":"2026-03-05T14:53:12","date_gmt":"2026-03-05T06:53:12","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=15814"},"modified":"2026-03-06T16:10:47","modified_gmt":"2026-03-06T08:10:47","slug":"z-angle-memory-the-next-generation-stacked-dram-for-ai-and-hpc","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/news\/z-angle-memory-the-next-generation-stacked-dram-for-ai-and-hpc\/","title":{"rendered":"Memoria Z-Angle: La nueva generaci\u00f3n de DRAM apilada para IA y HPC"},"content":{"rendered":"
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
El r\u00e1pido crecimiento de los modelos de gran tama\u00f1o, la IA generativa y la computaci\u00f3n de alto rendimiento (HPC) ha llevado a las arquitecturas de memoria tradicionales a sus l\u00edmites f\u00edsicos. Alta Memoria de ancho de banda (HBM)<\/a><\/span> ha sido durante mucho tiempo el est\u00e1ndar de oro para los aceleradores de IA, pero se enfrenta a cuellos de botella crecientes en capacidad, consumo de energ\u00eda y gesti\u00f3n t\u00e9rmica a medida que aumentan las alturas y densidades de las pilas.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"Intel\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
A principios de febrero de 2026, Memoria de \u00e1ngulo Z (ZAM)<\/strong> surgi\u00f3 como una soluci\u00f3n espec\u00edfica para estos retos. Desarrollada conjuntamente por Intel y SAIMEMORY, una filial propiedad de SoftBank Corp., ZAM es una arquitectura DRAM apilada de nueva generaci\u00f3n dise\u00f1ada para redefinir el escalado de memoria para cargas de trabajo intensivas en datos.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t

Qu\u00e9 es la memoria en \u00e1ngulo Z<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Memoria de \u00e1ngulo Z (ZAM)<\/strong> es una arquitectura DRAM apilada en 3D creada para superar los l\u00edmites de escalabilidad de la HBM convencional. Su nombre procede de la innovaci\u00f3n que la define: una topolog\u00eda de interconexi\u00f3n diagonal en forma de Z<\/strong> que sustituye a las v\u00edas verticales de silicio (TSV) utilizadas en todos los dise\u00f1os actuales de HBM.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
A diferencia de las pilas de memoria tradicionales, que dirigen las se\u00f1ales en l\u00ednea recta hacia arriba y hacia abajo, ZAM utiliza un cableado diagonal escalonado para mover los datos a trav\u00e9s de la pila. Este peque\u00f1o pero radical cambio resuelve tres problemas cr\u00edticos: capacidad insuficiente para grandes modelos de IA, consumo excesivo de energ\u00eda en los centros de datos y acumulaci\u00f3n incontrolable de calor en paquetes densos.<\/strong> ZAM no es una actualizaci\u00f3n gradual. Se trata de un redise\u00f1o completo de la memoria apilada, cuyo objetivo es su implantaci\u00f3n comercial en centros de datos de IA y sistemas HPC en el horizonte de 2030.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t

Principales innovaciones t\u00e9cnicas<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Las mejoras de rendimiento de ZAM proceden de cinco avances t\u00e9cnicos estrechamente integrados, cada uno de ellos dise\u00f1ado para funcionar dentro de las normas modernas de fabricaci\u00f3n de semiconductores.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Topolog\u00eda de interconexi\u00f3n diagonal. <\/strong>La base de ZAM es el cambio de TSV verticales a interconexiones diagonales escalonadas. Esta estructura distribuye la tensi\u00f3n mec\u00e1nica y el calor uniformemente por toda la pila, en lugar de concentrarlos en estrechas columnas verticales. Adem\u00e1s, acorta el recorrido medio de las se\u00f1ales, lo que reduce la latencia y la p\u00e9rdida de potencia.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Uni\u00f3n h\u00edbrida cobre-cobre. <\/strong>ZAM sustituye las conexiones de soldadura y los microbumps heredados por uniones h\u00edbridas directas de cobre-cobre. Esta conexi\u00f3n a nivel at\u00f3mico reduce la resistencia y la inductancia, mejora la integridad de la se\u00f1al y permite que la pila se comporte como un \u00fanico bloque monol\u00edtico de silicio en lugar de como una serie de troqueles discretos.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Fabricaci\u00f3n Via-in-One. <\/strong>ZAM utiliza un proceso simplificado \"v\u00eda en uno\" para formar sus interconexiones diagonales en un solo paso de producci\u00f3n. Esto reduce la complejidad de fabricaci\u00f3n, mejora el rendimiento y reduce los costes de producci\u00f3n en comparaci\u00f3n con el proceso TSV de varios pasos necesario para la HBM.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\"\"<\/a><\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Dise\u00f1o sin condensadores. <\/strong>ZAM elimina por completo los condensadores en el chip. Esto libera una valiosa superficie de silicio para las c\u00e9lulas de memoria, lo que aumenta directamente la densidad de almacenamiento sin reducir los nodos de proceso. Tambi\u00e9n simplifica el dise\u00f1o del chip y mejora la eficiencia el\u00e9ctrica.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Integraci\u00f3n EMIB. <\/strong>ZAM est\u00e1 optimizado para el Puente de interconexi\u00f3n multin\u00facleo integrado (EMIB)<\/strong> empaquetado. Esto permite una conectividad de alta velocidad y baja latencia entre las pilas ZAM y los procesadores de IA, creando un complejo inform\u00e1tico cohesionado y de alto rendimiento.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t

ZAM vs. HBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
En la tabla siguiente se muestra la comparaci\u00f3n de ZAM con las soluciones HBM3e y HBM4 m\u00e1s extendidas, utilizando prototipos y objetivos de dise\u00f1o hechos p\u00fablicos.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
M\u00e9trica<\/th>\nZAM<\/th>\nHBM3e (Actual)<\/th>\nHBM4 (pr\u00f3ximamente)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Capacidad por pila<\/strong><\/td>\nHasta 512 GB<\/td>\n24-36 GB<\/td>\n24-48 GB<\/td>\n<\/tr>\n
M\u00e1x. capas de pila<\/strong><\/td>\nM\u00e1s de 50 capas<\/td>\n12-16 capas<\/td>\n16-20 capas<\/td>\n<\/tr>\n
Consumo de energ\u00eda<\/strong><\/td>\n40-50% inferior a HBM3e<\/td>\nL\u00ednea de base<\/td>\n~20% inferior a HBM3e<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de interconexi\u00f3n<\/strong><\/td>\nDiagonal Z-\u00e1ngulo cobre<\/td>\nTSV verticales<\/td>\nTSV verticales<\/td>\n<\/tr>\n
Rendimiento t\u00e9rmico<\/strong><\/td>\nPilar t\u00e9rmico central; puntos calientes bajos<\/td>\nPuntos calientes en capas altas<\/td>\nMejora moderada<\/td>\n<\/tr>\n
Caso pr\u00e1ctico<\/strong><\/td>\nEntrenamiento de IA a gran escala, HPC<\/td>\nInferencia de IA en la nube<\/td>\nCargas de trabajo de IA medianas y grandes<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t

Principales ventajas de ZAM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Capacidad de memoria inigualable. <\/strong>ZAM entrega 2-3 veces la capacidad<\/strong> de las pilas HBM actuales, con un objetivo de 512 GB por pila. De este modo, los modelos de mayor tama\u00f1o podr\u00e1n funcionar con menos aceleradores, lo que simplificar\u00e1 el dise\u00f1o del sistema y reducir\u00e1 el coste total de propiedad.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Eficiencia energ\u00e9tica espectacular. <\/strong>El consumo de energ\u00eda se reduce en 40-50%<\/strong> en comparaci\u00f3n con HBM3e. Para los cl\u00fasteres de IA a gran escala, esto reduce los costes energ\u00e9ticos y la demanda de refrigeraci\u00f3n, y contribuye a cumplir los objetivos de sostenibilidad.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Gesti\u00f3n t\u00e9rmica superior. <\/strong>Las HBM tradicionales se limitan a unas 16-20 capas debido a los cuellos de botella t\u00e9rmicos. El enrutamiento diagonal de ZAM crea un pilar t\u00e9rmico central que distribuye el calor por toda la pila, lo que permite un apilamiento fiable de... M\u00e1s de 50 capas<\/strong> sin puntos peligrosos.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Estabilidad mec\u00e1nica mejorada. <\/strong>Las interconexiones diagonales distribuyen la tensi\u00f3n uniformemente por toda la matriz, lo que reduce las deformaciones y los riesgos de fallo en pilas altas. Esto mejora la fiabilidad a largo plazo en entornos empresariales y de centros de datos.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
Fabricaci\u00f3n simplificada. <\/strong>El proceso \"v\u00eda en uno\" y el dise\u00f1o sin condensadores agilizan la producci\u00f3n. Las primeras estimaciones sugieren que ZAM puede fabricarse a un coste inferior al de las complejas pilas HBM, con una capacidad muy superior.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t

Historial de desarrollo y asociaciones industriales<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
La tecnolog\u00eda se basa en la tecnolog\u00eda DRAM Bonding de nueva generaci\u00f3n (NGDB)<\/strong> desarrollado con el apoyo del proyecto Advanced Memory Technology (AMT) del Departamento de Energ\u00eda de EE.UU. y los Laboratorios Nacionales Sandia. Esta investigaci\u00f3n se centr\u00f3 en romper los equilibrios entre potencia, capacidad y ancho de banda que limitan las memorias DRAM convencionales.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
SAIMEMORY se fund\u00f3 en diciembre de 2024 como filial de SoftBank con una \u00fanica misi\u00f3n: desarrollar memoria de nueva generaci\u00f3n para IA. La asociaci\u00f3n formal Intel-SAIMEMORY se anunci\u00f3 el 2 de febrero de 2026<\/strong>y ZAM hizo su debut mundial como prototipo un d\u00eda despu\u00e9s en Conexi\u00f3n Intel Jap\u00f3n 2026<\/strong>. En el marco de esta colaboraci\u00f3n, Intel aporta sus conocimientos avanzados en materia de empaquetado y uni\u00f3n, mientras que SAIMEMORY se encarga del desarrollo y la comercializaci\u00f3n de la arquitectura.<\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t

Casos pr\u00e1cticos reales<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
ZAM est\u00e1 dise\u00f1ado para las cargas de trabajo m\u00e1s exigentes de la inform\u00e1tica moderna:<\/div>
  • Entrenamiento de modelos de IA a gran escala. <\/strong>La enorme capacidad por pila elimina los cuellos de botella de memoria para los modelos b\u00e1sicos de billones de par\u00e1metros, lo que permite un entrenamiento m\u00e1s r\u00e1pido y un dise\u00f1o de cl\u00faster m\u00e1s sencillo.<\/li>
  • Inferencia de IA en la nube a escala. <\/strong>El menor consumo de energ\u00eda reduce los costes operativos para los proveedores de nube a hiperescala que ejecutan cargas de trabajo de inferencia continua.<\/li>
  • Computaci\u00f3n de alto rendimiento. <\/strong>Las simulaciones cient\u00edficas, los modelos meteorol\u00f3gicos y los modelos financieros se benefician de una mayor capacidad y un acceso a la memoria estable y de baja latencia.<\/li>
  • Agrupaci\u00f3n de memoria CXL. <\/strong>El eficaz apilamiento y el gran ancho de banda de ZAM la convierten en la soluci\u00f3n ideal para la agrupaci\u00f3n de memoria CXL (Compute Express Link), que permite disponer de recursos de memoria compartidos y flexibles en los centros de datos modernos.<\/li>
  • Inteligencia artificial de vanguardia y sistemas aut\u00f3nomos. <\/strong>La mejora de la eficiencia energ\u00e9tica favorece la implantaci\u00f3n de la IA en entornos perif\u00e9ricos con limitaciones energ\u00e9ticas, desde la automatizaci\u00f3n industrial hasta los veh\u00edculos aut\u00f3nomos.<\/li><\/ul><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t

    Situaci\u00f3n actual y calendario futuro<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t\t\t
    A principios de 2026, ZAM sigue en desarrollo activo con una hoja de ruta clara y p\u00fablica:<\/div>
    • Febrero de 2026<\/strong>: Primer prototipo de demostraci\u00f3n en Intel Connection Japan, centrado en la gesti\u00f3n t\u00e9rmica.<\/div><\/li>
    • 2027<\/strong>: Se espera que los socios de hardware reciban muestras de ingenier\u00eda y chips de prueba.<\/div><\/li>
    • 2030<\/strong>: Objetivo de implantaci\u00f3n comercial masiva para centros de datos de IA y sistemas HPC.<\/div><\/li><\/ul>
      La plataforma a\u00fan se est\u00e1 perfeccionando, pero los resultados de los primeros prototipos validan sus principales afirmaciones sobre capacidad, potencia y rendimiento t\u00e9rmico. La ZAM se considera una de las principales candidatas a suceder a la HBM en el panorama de las memorias de IA despu\u00e9s de 2030.<\/div><\/div>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
      \n\t\t\t\t
      \n\t\t\t\t\t\t\t

      La memoria en \u00e1ngulo Z representa un cambio de paradigma en el dise\u00f1o de DRAM apiladas. Al sustituir los TSV verticales por una topolog\u00eda de interconexi\u00f3n diagonal en forma de Z, aborda las limitaciones m\u00e1s persistentes de la HBM. Pero el panorama competitivo de la memoria AI es din\u00e1mico. Las tecnolog\u00edas rivales, como la recientemente anunciada zHBM de Samsung, tambi\u00e9n se dirigen a la era post-HBM4 con agresivas pretensiones de rendimiento. Adem\u00e1s, el \u00e9xito de la comercializaci\u00f3n de cualquier nueva arquitectura de memoria depende de que se consiga un alto rendimiento de fabricaci\u00f3n, estructuras de costes competitivas y, lo que es m\u00e1s importante, la adopci\u00f3n por parte de los principales proveedores de sistemas y aceleradores de IA. Por lo tanto, aunque ZAM presenta un proyecto convincente, su paso de prototipo a est\u00e1ndar industrial depender\u00e1 de la superaci\u00f3n de estos retos de ingenier\u00eda y ecosistema del mundo real.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

      Z-Angle Memory (ZAM) es una arquitectura DRAM apilada en 3D creada para superar los l\u00edmites de escalado de la HBM convencional. Su nombre procede de la innovaci\u00f3n que la define: una topolog\u00eda de interconexi\u00f3n diagonal en forma de Z que sustituye a las v\u00edas de silicio pasantes (TSV) verticales utilizadas.<\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":15873,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-15814","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/15814","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=15814"}],"version-history":[{"count":73,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/15814\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":15923,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/15814\/revisions\/15923"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/15873"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=15814"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=15814"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=15814"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}