{"id":13690,"date":"2025-11-28T14:20:03","date_gmt":"2025-11-28T06:20:03","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=13690"},"modified":"2025-11-28T14:20:42","modified_gmt":"2025-11-28T06:20:42","slug":"new-nand-flash-architecture-published-in-nature","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/news\/new-nand-flash-architecture-published-in-nature\/","title":{"rendered":"Nueva arquitectura NAND Flash publicada en Nature"},"content":{"rendered":"
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El 27 de noviembre de 2025, SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology), la organizaci\u00f3n de investigaci\u00f3n integral dependiente de Samsung Electronics, anunci\u00f3 que su equipo ha publicado un resultado innovador sobre una nueva arquitectura NAND Flash en la principal revista internacional Naturaleza<\/em><\/a><\/span>. Seg\u00fan la investigaci\u00f3n, al combinar semiconductores ferroel\u00e9ctricos<\/strong>\u00a0y semiconductores de \u00f3xido<\/strong>la nueva c\u00e9lula NAND puede alcanzar m\u00e1s de 90% reducci\u00f3n de potencia<\/strong>\u00a0durante las operaciones de cadena y tambi\u00e9n muestra una gran escalabilidad y capacidad de almacenamiento multibit. Se espera que esta tecnolog\u00eda tenga un profundo impacto en la eficiencia energ\u00e9tica de los centros de datos de IA y los dispositivos m\u00f3viles.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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La nueva arquitectura consigue un consumo ultrabajo y almacenamiento multinivel<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Seg\u00fan Samsung SAIT, la estructura FeFET\/Fe-NAND propuesta en el art\u00edculo utiliza las caracter\u00edsticas de polarizaci\u00f3n de las pel\u00edculas finas ferroel\u00e9ctricas para almacenar datos. Esto reduce en gran medida la dependencia del alto voltaje y la gran energ\u00eda de escritura que se observa en las estructuras tradicionales de puerta flotante o trampa de carga.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Al mismo tiempo, los semiconductores de \u00f3xido tienen una corriente de fuga extremadamente baja, lo que permite que la cadena NAND funcione con una corriente de fuga casi nula. tensi\u00f3n de paso<\/strong>\u00a0durante los procesos de lectura y escritura. Esta combinaci\u00f3n de materiales conlleva directamente un enorme descenso del consumo de energ\u00eda. Los datos mostrados en el art\u00edculo indican que, durante las operaciones de cadena t\u00edpicas, la nueva estructura puede conseguir m\u00e1s de 90% y hasta unos 96% de ahorro de energ\u00eda<\/strong>.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Y lo que es a\u00fan m\u00e1s prometedor, la estructura ferroel\u00e9ctrica admite de forma natural el almacenamiento multinivel. Los experimentos demuestran que puede alcanzar 5 bits por c\u00e9lula<\/strong>, lo que significa que la densidad de almacenamiento futura puede aumentar dentro de un \u00e1rea limitada, igualando e incluso superando la direcci\u00f3n QLC (4 bits) actual de la industria.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Los centros de datos de IA y los dispositivos m\u00f3viles se beneficiar\u00e1n enormemente<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Esta tecnolog\u00eda se considera una adici\u00f3n disruptiva a las arquitecturas NAND actuales, especialmente en un momento en que el consumo de energ\u00eda se ha convertido en un importante cuello de botella.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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En los centros de datos de IA, el entrenamiento y la inferencia de modelos requieren la lectura y escritura frecuentes de enormes conjuntos de datos, lo que hace que el consumo de energ\u00eda del almacenamiento aumente constantemente. Si la nueva Fe-NAND puede llegar a la producci\u00f3n en masa tras el desarrollo de ingenier\u00eda, su reducci\u00f3n de potencia de funcionamiento de 90% impulsar\u00e1 directamente la eficiencia energ\u00e9tica general de los centros de datos, reducir\u00e1 los costes de electricidad y disminuir\u00e1 la presi\u00f3n de generaci\u00f3n de calor para las grandes instalaciones inform\u00e1ticas.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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En los dispositivos m\u00f3viles y perif\u00e9ricos, las ventajas en la potencia de escritura y en espera prolongar\u00e1n la duraci\u00f3n de la bater\u00eda y permitir\u00e1n un procesamiento m\u00e1s complejo de la IA en el dispositivo, especialmente para la inferencia fuera de l\u00ednea, las tareas de detecci\u00f3n continua y el almacenamiento en cach\u00e9 de datos de gran ancho de banda.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Mientras tanto, los dispositivos ferroel\u00e9ctricos tambi\u00e9n son naturalmente adecuados para futuras computaci\u00f3n en memoria<\/strong>\u00a0que ofrecen potencial para el hardware neurom\u00f3rfico.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Antes de la producci\u00f3n en serie hay que resolver varios problemas t\u00e9cnicos<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Aunque los resultados del art\u00edculo son interesantes, los expertos del sector se\u00f1alan que los productos comerciales requerir\u00e1n superar varias barreras de ingenier\u00eda, entre ellas:<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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  • Compatibilidad de fabricaci\u00f3n: <\/strong>La deposici\u00f3n y el procesamiento t\u00e9rmico de las pel\u00edculas finas ferroel\u00e9ctricas -y su compatibilidad con los procesos 3D V-NAND existentes- necesitan una mayor validaci\u00f3n, especialmente en lo que respecta al rendimiento y la estabilidad en estructuras de gran apilamiento.<\/li>
  • Resistencia y retenci\u00f3n de datos: <\/strong>La NAND comercial requiere muchos m\u00e1s ciclos de escritura y retenci\u00f3n de datos a largo plazo que los experimentos acad\u00e9micos. El rendimiento a largo plazo de los materiales ferroel\u00e9ctricos en grandes matrices requiere m\u00e1s pruebas.<\/li>
  • Coherencia de dispositivos y control de errores: <\/strong>La programaci\u00f3n multinivel tiene una tolerancia al ruido extremadamente estricta y requiere una optimizaci\u00f3n conjunta con algoritmos ECC y de programaci\u00f3n a nivel de sistema.<\/li>
  • Coste y rendimiento: <\/strong>La introducci\u00f3n de nuevos materiales y estructuras en l\u00edneas de producci\u00f3n maduras conlleva inevitablemente retos en cuanto a costes, ventanas de proceso y calidad de la producci\u00f3n en serie.<\/li><\/ul>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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    Por estas razones, el sector cree en general que a corto plazo (1-3 a\u00f1os), los chips de muestra o los productos a peque\u00f1a escala pueden aparecer primero en mercados de uso especial o de alto valor, mientras que la entrada en el almacenamiento de consumo general o empresarial llevar\u00e1 m\u00e1s tiempo.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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    En general, la nueva arquitectura Fe-NAND anunciada por Samsung SAIT en Naturaleza<\/em>\u00a0muestra una posible direcci\u00f3n futura para NAND Flash: lograr una mejora importante de la eficiencia energ\u00e9tica sin sacrificar la capacidad ni la densidad de almacenamiento. Si en el futuro la ingenier\u00eda avanza sin contratiempos, esta tecnolog\u00eda podr\u00eda convertirse en la base de la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de memorias no vol\u00e1tiles de bajo consumo, algo especialmente importante en la era de la inteligencia artificial y el alto consumo de energ\u00eda.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    Seg\u00fan la investigaci\u00f3n, al combinar semiconductores ferroel\u00e9ctricos y semiconductores de \u00f3xido, la nueva c\u00e9lula NAND puede lograr una reducci\u00f3n de potencia de m\u00e1s de 90% durante las operaciones en cadena y tambi\u00e9n muestra una gran escalabilidad y capacidad de almacenamiento multibit. <\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":13698,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-13690","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=13690"}],"version-history":[{"count":11,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":13702,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13690\/revisions\/13702"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/13698"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=13690"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=13690"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=13690"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}