{"id":13057,"date":"2025-11-12T17:00:43","date_gmt":"2025-11-12T09:00:43","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=13057"},"modified":"2025-11-19T15:45:12","modified_gmt":"2025-11-19T07:45:12","slug":"hbm-the-high-bandwidth-revolution-reshaping-the-semiconductor-memory-landscape","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/news\/hbm-the-high-bandwidth-revolution-reshaping-the-semiconductor-memory-landscape\/","title":{"rendered":"HBM: la revoluci\u00f3n del gran ancho de banda que reconfigura el panorama de los semiconductores de memoria"},"content":{"rendered":"
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Impulsados por el r\u00e1pido auge de la inteligencia artificial, la inform\u00e1tica de alto rendimiento y los centros de datos en la nube, los sistemas de memoria tradicionales se enfrentan a retos sin precedentes. El rendimiento de los procesadores sigue creciendo exponencialmente, pero las velocidades de transferencia de datos han tenido dificultades para mantener el ritmo, creando un \"cuello de botella de ancho de banda\" que limita el rendimiento general del sistema. Como respuesta, HBM (memoria de gran ancho de banda)<\/strong> . Al utilizar un empaquetado apilado en 3D e interfaces de bus ultraanchas, la HBM aumenta enormemente el ancho de banda de transferencia de datos por vatio de potencia. Ahora se considera una de las tecnolog\u00edas clave capaces de superar los l\u00edmites del rendimiento de la memoria.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Tecnolog\u00eda y arquitectura de HBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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HBM se diferencia de la memoria DDR tradicional en su TSV 3D (v\u00eda a trav\u00e9s del silicio)<\/strong> Dise\u00f1o de interconexi\u00f3n vertical. Varias DRAM se apilan verticalmente y se conectan a trav\u00e9s de v\u00edas de silicio. A continuaci\u00f3n, se empaquetan junto con una matriz l\u00f3gica (normalmente una GPU o un acelerador de IA) en un intercalador de silicio. Este dise\u00f1o acorta dr\u00e1sticamente las rutas de se\u00f1al, lo que permite velocidades de transferencia mucho mayores con un menor consumo de energ\u00eda. Por el contrario, DDR4 y DDR5<\/a><\/span> siguen utilizando el cableado paralelo convencional de las placas de circuito impreso, en el que un mayor aumento del ancho de banda conlleva mayores costes de energ\u00eda e integridad de la se\u00f1al.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Caracter\u00edstica<\/th>HBM<\/th>DDR4<\/th>DDR5<\/th><\/tr><\/thead>
Conexi\u00f3n<\/td>Apilamiento vertical de TSV<\/td>Cableado paralelo PCB<\/td>Cableado paralelo PCB<\/td><\/tr>
Embalaje<\/td>Empaquetado junto con el chip l\u00f3gico (2,5D)<\/td>M\u00f3dulo separado<\/td>M\u00f3dulo separado<\/td><\/tr>
Velocidad por clavija<\/td>~2 Gbps<\/td>~3,2 Gbps<\/td>~6,4 Gbps<\/td><\/tr>
Ancho de banda total (por pila)<\/td>256 GB\/s (HBM2) - 1 TB\/s (HBM3E)<\/td>~25 GB\/s<\/td>~50 GB\/s<\/td><\/tr>
Eficiencia energ\u00e9tica<\/td>Alta<\/td>Medio<\/td>Medio-alto<\/td><\/tr>
Aplicaciones<\/td>HPC, IA, GPU, Redes<\/td>PCs, Servidores<\/td>PCs, Servidores<\/td><\/tr><\/tbody><\/table>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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En 2025, la tecnolog\u00eda HBM habr\u00e1 avanzado hasta HBM3E<\/strong>que ofrecen hasta 24 GB por pila y anchos de banda que alcanzan 1,2 TB\/s. La pr\u00f3xima generaci\u00f3n, HBM4<\/strong>se espera que utilice un chiplet + intercalador activo<\/em> para una mayor integraci\u00f3n y eficiencia t\u00e9rmica.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Panorama de la industria: Oligopolio y barreras t\u00e9cnicas<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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El HBM es extremadamente dif\u00edcil de fabricar. Los principales retos son Rendimiento del apilamiento 3D, precisi\u00f3n del embalaje, disipaci\u00f3n del calor y fabricaci\u00f3n de intercaladores. <\/strong>Como resultado, el mercado mundial est\u00e1 muy concentrado, dominado por tres grandes productores de memorias:<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Empresa<\/th>Cuota de mercado (aprox.)<\/th>Producto principal<\/th>Clientes clave<\/th><\/tr><\/thead>
SK hynix<\/td>50%+<\/td>HBM3 \/ HBM3E<\/td>NVIDIA, AMD, Intel<\/td><\/tr>
Samsung<\/td>35%<\/td>HBM2E \/ HBM3<\/td>AMD, Google, Amazon<\/td><\/tr>
Micron<\/td>10-15%<\/td>HBM2E \/ HBM3<\/td>NVIDIA, Meta, Tesla<\/td><\/tr><\/tbody><\/table>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Mientras tanto, las empresas de Jap\u00f3n y Taiw\u00e1n (como Kioxia, Nanya y Winbond) a\u00fan se encuentran en fases de I+D y llevan un retraso de dos a tres generaciones en su comercializaci\u00f3n. En China continental, CXMT<\/strong> y YMTC<\/strong> han iniciado los primeros proyectos de HBM, pero debido a la limitada capacidad de envasado avanzado y a la dependencia de equipos importados, no se espera una producci\u00f3n a gran escala en breve.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Este \"oligopolio t\u00e9cnico\" otorga un enorme poder de fijaci\u00f3n de precios a unas pocas empresas. De 2023 a 2025, las GPU H100, H200 y Blackwell de NVIDIA impulsaron una demanda explosiva de HBM, lo que se tradujo en beneficios r\u00e9cord para SK hynix y una oferta mundial ajustada.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Din\u00e1mica del mercado: HBM impulsa la econom\u00eda inform\u00e1tica y de IA<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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La formaci\u00f3n en IA como principal motor de crecimiento<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Con el auge de la IA generativa y los grandes modelos de lenguaje, la HBM se ha convertido en un complemento esencial para las GPU. La H100 de NVIDIA utiliza 80 GB de HBM3 con 3,35 TB\/s de ancho de banda, mientras que la nueva GPU Blackwell utiliza HBM3E con el doble de capacidad y hasta 8 TB\/s de ancho de banda total. Esto significa que el ancho de banda de memoria necesario para el entrenamiento de IA se ha multiplicado casi por diez desde 2020. El rendimiento de la HBM ahora determina directamente la eficiencia de la GPU, lo que la convierte en un factor central de la competitividad de los chips.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Subida de precios y escasez de oferta<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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El auge del mercado de IA ha hecho que los precios de las HBM se disparen m\u00e1s de 60% entre 2024 y 2025. SK hynix ha estado operando a plena capacidad, a menudo incapaz de satisfacer la demanda. Dado que la producci\u00f3n de HBM consume capacidad de empaquetado avanzada, algunas l\u00edneas de DDR5 se han trasladado a HBM, lo que ha hecho subir los precios generales de la memoria.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Nuevos participantes y expansi\u00f3n de la cadena de suministro<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Empresas de envasado avanzado como TSMC<\/strong>, ASE<\/strong>y Samsung<\/strong> est\u00e1n ampliando las l\u00edneas de producci\u00f3n de CoWoS e InFO. Los proveedores de equipos EDA y de pruebas, incluidos Cadencia<\/strong>, Synopsys<\/strong>y KLA<\/strong> - est\u00e1n desarrollando herramientas de verificaci\u00f3n e inspecci\u00f3n para DRAM 3D. Todo el ecosistema est\u00e1 madurando r\u00e1pidamente.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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El impacto de las HBM en los mercados tradicionales de memoria<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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El auge de HBM no es un hecho aislado. Est\u00e1 reconfigurando todo el ecosistema de la memoria y repercutiendo profundamente en los mercados de DDR y GDDR.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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La DDR se desplaza hacia los segmentos de gama media y servidores<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Dado que la HBM encaja mejor en los sistemas de alto rendimiento, los PC de consumo y los servidores b\u00e1sicos seguir\u00e1n utilizando DDR4\/DDR5. Sin embargo, a medida que los servidores de IA se conviertan en la principal fuente de crecimiento de la demanda, la cuota de mercado de DDR se reducir\u00e1. Seg\u00fan TrendForce, la adopci\u00f3n de HBM en los centros de datos podr\u00eda superar los 35% en 2026. La DDR4 desaparecer\u00e1 r\u00e1pidamente, mientras que la DDR5 alcanzar\u00e1 la madurez.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Cuota de mercado prevista por aplicaci\u00f3n (2025-2027)<\/strong><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Aplicaci\u00f3n<\/th>2025<\/th>2026<\/th>2027<\/th><\/tr><\/thead>
IA \/ HPC<\/td>HBM \u2192 70%<\/td>80%<\/td>85%<\/td><\/tr>
Servidores generales<\/td>DDR5 \u2192 70%<\/td>65%<\/td>60%<\/td><\/tr>
PC \/ Consumidores<\/td>DDR4 \u2192 60%<\/td>45%<\/td>30%<\/td><\/tr>
Memoria GPU<\/td>Mezcla DDR6 \/ HBM<\/td>Transici\u00f3n a HBM<\/td>HBM convencional<\/td><\/tr><\/tbody><\/table>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Los fabricantes de DDR entran en la \"segunda transformaci\u00f3n\"<\/h3>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Los fabricantes de memorias tradicionales como Micron<\/strong> y Samsung<\/strong> est\u00e1n cambiando de estrategia. Est\u00e1n aumentando la inversi\u00f3n en HBM y la capacidad de empaquetado avanzado, al tiempo que reposicionan la DDR como producto de gama media y baja para mercados sensibles a los costes. As\u00ed pues, las memorias HBM se han convertido tanto en un nuevo motor de crecimiento como en una fuerza que reconfigura la competencia empresarial.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Perspectivas de futuro: HBM4 y la era de los chiplets<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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En los pr\u00f3ximos cinco a\u00f1os, HBM se fusionar\u00e1 cada vez m\u00e1s con arquitecturas de chiplets<\/strong>. HBM4<\/strong>que se espera para 2026-2027, podr\u00eda ofrecer un ancho de banda superior a 2 TB\/s mediante intercaladores activos, alcanzando nuevos niveles de eficiencia energ\u00e9tica.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Hoja de ruta de la tecnolog\u00eda HBM<\/strong><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Generaci\u00f3n<\/th>A\u00f1o<\/th>Apilar capas<\/th>Capacidad (por pila)<\/th>Ancho de banda (GB\/s)<\/th>Aplicaci\u00f3n principal<\/th><\/tr><\/thead>
HBM1<\/td>2015<\/td>4<\/td>4 GB<\/td>128<\/td>GPU<\/td><\/tr>
HBM2<\/td>2017<\/td>8<\/td>8 GB<\/td>256<\/td>HPC<\/td><\/tr>
HBM2E<\/td>2020<\/td>8<\/td>16 GB<\/td>460<\/td>IA \/ 5G<\/td><\/tr>
HBM3<\/td>2023<\/td>12<\/td>24 GB<\/td>819<\/td>Formaci\u00f3n en IA<\/td><\/tr>
HBM3E<\/td>2025<\/td>16<\/td>24 GB<\/td>1200<\/td>LLMs, HPC<\/td><\/tr>
HBM4<\/td>2027*<\/td>16+<\/td>32 GB O M\u00c1S<\/td>2000+<\/td>Chiplet SoC<\/td><\/tr><\/tbody><\/table>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Al mismo tiempo, fabricantes de chips como NVIDIA<\/strong>, AMD<\/strong>y Intel<\/strong> est\u00e1n explorando una mayor integraci\u00f3n de la HBM directamente en los m\u00f3dulos inform\u00e1ticos, fusionando computaci\u00f3n y memoria en uno solo. Esta tendencia est\u00e1 desdibujando los l\u00edmites entre memoria, cach\u00e9 y almacenamiento, allanando el camino para un nuevo concepto de arquitectura conocido como \"Memory-as-Compute\".<\/strong><\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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El punto de inflexi\u00f3n de la revoluci\u00f3n de la memoria<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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HBM es algo m\u00e1s que un nuevo tipo de memoria: es la fuerza motriz de la pr\u00f3xima era de la inform\u00e1tica. Simboliza el cambio de la industria de una \"compute primero\"<\/strong> a un \"ancho de banda primero\"<\/strong> paradigma. En IA, conducci\u00f3n aut\u00f3noma, simulaci\u00f3n y computaci\u00f3n en la nube, el HBM seguir\u00e1 ampliando su alcance, convirti\u00e9ndose en una m\u00e9trica cr\u00edtica para el rendimiento. Sin embargo, su elevado coste, su compleja fabricaci\u00f3n y su concentrada cadena de suministro tambi\u00e9n introducen nuevos riesgos. Equilibrar el rendimiento con la asequibilidad sigue siendo el mayor reto de la industria. En los pr\u00f3ximos a\u00f1os, a medida que HBM4<\/strong> y HBM5<\/strong> podemos entrar en una era en la que la propia memoria se convierte en el n\u00facleo de la potencia de c\u00e1lculo<\/strong> - y HBM estar\u00e1 en el centro mismo de esa revoluci\u00f3n.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

HBM se diferencia de la memoria DDR tradicional por su dise\u00f1o de interconexi\u00f3n vertical TSV (Through-Silicon Via) en 3D. Varias memorias DRAM se apilan verticalmente y se conectan a trav\u00e9s de v\u00edas de silicio. A continuaci\u00f3n, se empaquetan junto con una matriz l\u00f3gica (normalmente una GPU o un acelerador de IA) en un intercalador de silicio.<\/p>","protected":false},"author":4,"featured_media":13124,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-4)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[52],"tags":[],"class_list":["post-13057","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13057","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/4"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=13057"}],"version-history":[{"count":83,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13057\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":13382,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/13057\/revisions\/13382"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/13124"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=13057"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=13057"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.oscoo.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=13057"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}