Anunciada oficialmente la memoria DDR6: la velocidad de 17.600 MT/s enciende la revolución del rendimiento

La hoja de ruta y el calendario de comercialización de la memoria DDR6, el estándar de próxima generación más esperado por la industria tecnológica mundial, ya están listos. En colaboración con los principales fabricantes de DRAM y líderes de plataformas de procesadores, el organismo de normalización JEDEC confirma que la memoria DDR6 debutará en los dispositivos de gama alta en 2026 y entrará en adopción masiva en 2027. El objetivo de este avance es aumentar significativamente la eficiencia informática para satisfacer la creciente demanda de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento.

Rendimiento extraordinario

En comparación con la corriente principal actual DDR5 DDR6 supone un salto generacional en el rendimiento del núcleo. Su velocidad básica de transferencia de datos comienza en 8.800 MT/s y alcanza los 17.600 MT/s. Los módulos especiales overclockeados pueden alcanzar velocidades superiores a 21.000 MT/s. Los módulos especiales overclockeados pueden alcanzar velocidades superiores a 21.000 MT/s. Desde el punto de vista arquitectónico, la DDR6 sustituye el diseño de doble subcanal de 32 bits de la DDR5 por una configuración de cuatro subcanales de 24 bits. Esta reestructuración incrementa sustancialmente la capacidad de procesamiento paralelo de datos y la eficiencia del ancho de banda, aunque aumenta los requisitos de integridad de la señal en los sistemas.

Nuevo estándar físico: CAMM2 toma el relevo

La DDR6 adopta el nuevo estándar de conectores CAMM2, que sustituye a las ranuras DIMM y SO-DIMM de hace décadas. El diseño CAMM2 permite una mayor densidad de módulos, menor impedancia eléctrica y un perfil físico más delgado. Los principales proveedores de hardware han demostrado prototipos CAMM2 de 64 GB, que solucionan los cuellos de botella de capacidad inherentes a las ranuras DDR5.

Calendario de producción de Clear: lanzamiento en 2026 y ampliación en 2027

La DDR6 se encuentra actualmente en fase de validación técnica. Los principales proveedores de DRAM -Samsung Electronics, SK Hynix y Micron Technology- han completado los diseños de chips prototipo y colaboran con Intel y AMD en las pruebas de interfaz a nivel de plataforma. El JEDEC finalizó el borrador de la especificación DDR6 a finales de 2024 y publicará la norma LPDDR6, su variante de bajo consumo, en el segundo trimestre de 2025. La certificación de plataformas comenzará en 2026.

Las CPU de nueva generación compatibles con DDR6, como los procesadores para servidores y móviles de gama alta de Intel y AMD, se lanzarán en 2026 para servidores de IA, clústeres informáticos de alto rendimiento y portátiles emblemáticos. La adopción generalizada en el mercado de consumo se producirá en 2027.

Los proveedores aceleran el desarrollo del ecosistema

Los líderes en memorias se posicionan estratégicamente para la llegada de la DDR6. Samsung Electronics está aprovechando su avanzado proceso DRAM 1c para preparar la producción en masa de LPDDR6, y según los informes ha logrado índices de rendimiento aceptables en las pruebas de estrés térmico. Samsung tiene previsto suministrar chips LPDDR6 a plataformas móviles como Snapdragon 8 Elite Gen 2 de Qualcomm a finales de 2025. Micron y SK Hynix están adaptando el mismo proceso para productos de nueva generación, como HBM4, con el fin de ofrecer soluciones integrales de memoria para IA.

Los socios del ecosistema avanzan en paralelo. Empresas de controladores como Synopsys y desarrolladores de chips móviles como Qualcomm y MediaTek han empezado a adaptar el hardware a LPDDR6. Esto acelerará el desarrollo de dispositivos edge-AI. Fabricantes de módulos como Longsys están desarrollando productos LPCAMM2 para satisfacer la futura demanda de memoria densa de alto rendimiento para PC y móviles.

Impulsores clave: Expansión de la IA y modernización de los centros de datos

El desarrollo de DDR6 y LPDDR6 está impulsado por dos tendencias críticas: En primer lugar, las aplicaciones de IA generativa se están extendiendo rápidamente a los dispositivos periféricos. El gran ancho de banda y el consumo ultrabajo de LPDDR6 son esenciales para los smartphones, tabletas y portátiles que ejecutan modelos localizados en grandes idiomas. En segundo lugar, los centros de datos mundiales están experimentando un importante ciclo de actualización. La penetración de servidores DDR5 alcanzará los 65% en 2025, mientras que el mayor rendimiento y escalabilidad de DDR6 permitirán soportar mejor la formación en IA y las cargas de trabajo HPC que exigen un enorme ancho de banda de memoria.

Conclusiones: La reconfiguración del panorama competitivo

La transición a la DDR6 acelerará la competencia en el sector. La china CXMT planea la producción en masa de LPDDR5X para 2026, lo que presionará a Samsung, SK Hynix y Micron para que aceleren la implantación de LPDDR6. La adopción de los módulos CAMM2 sigue afrontando retos relacionados con los costes de la cadena de suministro y la sustitución de las ranuras DIMM heredadas. No obstante, se espera que CAMM2 redefina los factores de forma de la memoria en todo el sector..

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