El 4 de agosto de 2026, en la feria FMS 2026 (Future Memory and Storage), celebrada en Santa Clara, California (EE. UU.), SK hynix y SanDisk presentaron oficialmente el Primera especificación técnica de OCP para Flash de gran ancho de banda (HBF). La especificación se pone a disposición de todo el sector a través de OCP (Open Compute Project), la mayor organización mundial dedicada a la tecnología de centros de datos de código abierto. Se presenta como una especificación técnica abierta al sector, en lugar de como un estándar técnico propio de un único proveedor. Se trata de un hito clave en el desarrollo de la tecnología HBF y marca, además, la entrada oficial de HBF en la fase de estandarización abierta y validación del ecosistema.
Un hito clave en el proceso de normalización
El ritmo de estandarización de HBF ha superado las expectativas del sector. Ya en agosto de 2025, SK hynix y SanDisk iniciaron oficialmente su trabajo conjunto de estandarización de HBF. Ambas empresas tenían previsto desarrollar conjuntamente una nueva especificación tecnológica de almacenamiento para aplicaciones de IA basada en sus respectivos conocimientos técnicos. En febrero de 2026, se estableció oficialmente el grupo de trabajo técnico sobre HBF en el marco de la OCP, lo que permitió reunir a empresas de toda la cadena de valor del sector para participar en el desarrollo de normas.
Desde el inicio de la línea de trabajo en febrero de 2026 hasta la publicación de la primera especificación técnica de OCP, el proceso completo duró tan solo seis meses. Detrás de este rápido avance se encuentra la urgente demanda de nuevas soluciones de almacenamiento por parte del sector de la inteligencia artificial, así como el enfoque abierto y colaborativo en el desarrollo de estándares. SanDisk y SK hynix fueron los principales colaboradores, mientras que Google y Tenstorrent también participaron en el proceso de estandarización y prestaron su apoyo en la validación técnica y el desarrollo de las especificaciones.
HBF se posiciona como un nivel intermedio para el almacenamiento de IA
Antes de la aparición de HBF, la arquitectura de almacenamiento de los sistemas informáticos de IA se componía principalmente de HBM (memoria de gran ancho de banda) y tradicional unidades SSD para empresas. Se observaba una clara diferencia entre ambos, tanto en cuanto al rendimiento como al coste.
La HBM, con su arquitectura DRAM y su tecnología de apilamiento 3D, puede ofrecer un ancho de banda extremadamente alto y una baja latencia de acceso, lo que la convierte en un medio de almacenamiento importante para dar soporte a la computación de IA en tiempo real. Sin embargo, la HBM tiene una capacidad relativamente limitada y un coste elevado. A medida que sigue creciendo el volumen de datos —como los pesos de los modelos de gran tamaño y la caché KV—, confiar únicamente en la HBM dificulta el almacenamiento económico de todos los datos cercanos al proceso de cálculo. Unidades SSD tradicionales utilice Flash NAND ofrecen una gran capacidad a un coste relativamente bajo, pero su ancho de banda y su latencia de acceso están muy por detrás de los de la HBM.
HBF es una nueva solución diseñada para dar respuesta a esta necesidad de un nivel de almacenamiento. SK hynix la posiciona como un nivel de almacenamiento entre la HBM y el SSD. Utiliza memoria flash NAND para ofrecer una mayor capacidad, al tiempo que emplea interfaces de gran ancho de banda y tecnologías avanzadas de encapsulado para acortar la distancia entre los datos y las unidades de cálculo, satisfaciendo así la necesidad de “mayor capacidad + mayor ancho de banda” en escenarios como la inferencia de IA.
| Tipo de almacenamiento | Medio central | Nivel de ancho de banda | Características de capacidad | Nivel de costes | Principales casos de uso |
|---|---|---|---|---|---|
| HBM | DRAM | Extremadamente alto | Aforo limitado | Muy alta | Cálculos de IA en tiempo real, datos a los que se accede con frecuencia |
| HBF | Flash NAND | Alta | Gran capacidad | Relativamente bajo | Inferencia de IA, datos de gran capacidad cercanos al proceso de cálculo |
| SSD | Flash NAND | Bajo | Gran capacidad | Bajo | Almacenamiento de datos inactivos, archivo permanente |
Especificaciones fundamentales de la primera especificación técnica
La primera especificación técnica de OCP para HBF publicada en esta ocasión abarca las interfaces del sistema, las características eléctricas, los requisitos básicos de rendimiento, el embalaje y la fiabilidad, así como las directrices de lectura y escritura de software. Proporciona un marco técnico unificado para el desarrollo de productos HBF y la integración de sistemas en todo el sector.
En cuanto a la configuración de la capacidad, las especificaciones ofrecen dos opciones de apilamiento de chips NAND: apilamiento de 8 capas y apilamiento de 16 capas. Un solo módulo HBF admite hasta 512 GB, lo que satisface aún más la necesidad de almacenamiento de gran capacidad cerca de los recursos de cálculo en escenarios de inferencia de IA.
En cuanto a los niveles de rendimiento, la especificación divide el HBF en tres grados, del Grado 1 al Grado 3, con un ancho de banda de transferencia de datos que oscila entre 0,4 TB/s y 3,0 TB/s. Los productos de los distintos grados pueden configurarse en función de los requisitos de ancho de banda y capacidad de los diferentes sistemas de IA.
Dos características técnicas fundamentales
HBF busca equilibrar la capacidad y el ancho de banda. Se basa en tecnologías clave, como las interconexiones de procesadores de alta velocidad y los métodos avanzados de apilamiento y encapsulado de NAND, al tiempo que hace hincapié en la apertura y la viabilidad técnica.
- La primera es la adopción del estándar universal de interconexión de chiplets UCIe. HBF utiliza UCIe como tecnología de interconexión del lado del procesador, lo que proporciona una base de interfaz abierta para conexiones de alta velocidad entre diferentes tipos de procesadores informáticos, como las GPU y las CPU, y HBF. En comparación con las arquitecturas de almacenamiento tradicionales, se espera que este diseño acorte la ruta de acceso a los datos y proporcione una interfaz más estandarizada para adaptar el HBF a los chips informáticos de diferentes fabricantes.
- La segunda es la tecnología de apilamiento NAND de alta densidad y de unión de obleas. HBF utiliza la tecnología flash BiCS de SanDisk y la tecnología CBA (CMOS directamente unido a la matriz), combinadas con una tecnología propia de apilamiento de chips, para permitir un apilamiento de alta densidad de hasta 16 capas. Los materiales técnicos publicados anteriormente por SanDisk muestran que su solución HBF utiliza estructuras de interconexión de encapsulado, como TSV y microprotuberancias, y hace hincapié en la reducción de la deformación de los chips mediante una tecnología de apilamiento propia que permite el apilamiento de un gran número de capas.
Ecosistema del sector y planes de producción en serie
Como especificación técnica abierta, HBF ha hecho hincapié en la colaboración a lo largo de toda la cadena industrial desde sus inicios. En la actualidad, se ha consolidado un ecosistema en el que participan empresas de los sectores del almacenamiento, los chips de IA, la computación en la nube y otros ámbitos.
Entre los principales participantes en el proceso de estandarización de HBF se encuentran los proveedores de almacenamiento SK hynix y SanDisk, así como las empresas de chips de IA Tenstorrent y Google. Durante la cumbre FMS 2026, SK hynix, Google DeepMind y SanDisk también participaron conjuntamente en una mesa redonda sobre HBF, en la que se analizó la dirección que tomará el desarrollo de las arquitecturas de almacenamiento para la infraestructura de IA.
En lo que respecta al desarrollo de productos, SanDisk ya ha avanzado en el desarrollo de los chips HBF y reveló en agosto de 2026 que la tecnología HBF estaba despertando un interés cada vez mayor por parte del ecosistema del sector. En su «Investor Day» de 2026, celebrado el 13 de agosto, la empresa afirmó además que se estaba configurando un ecosistema del sector que respaldaba la aplicación de la tecnología HBF.
Las tecnologías subyacentes de memoria flash también están avanzando al mismo tiempo. En esta cumbre, SK hynix presentó públicamente por primera vez su memoria flash 4D NAND de décima generación (V10) con 375 capas. La empresa afirmó que su rendimiento por vatio se había multiplicado por 2,5 en comparación con la generación anterior. SK hynix también presentó su hoja de ruta de tecnología de almacenamiento de próxima generación para infraestructuras de IA.
Repercusiones en el sector y perspectivas de futuro
La publicación de la primera especificación técnica de OCP para HBF no solo supone un importante avance en el desarrollo de la tecnología de almacenamiento, sino que también se espera que tenga repercusiones en la arquitectura de almacenamiento de la infraestructura de inteligencia artificial.
En primer lugar, enriquece aún más la arquitectura por niveles del almacenamiento para IA. Además de los chips de computación y la HBM, la HBF pretende ofrecer un nivel de almacenamiento cercano a la computación con mayor capacidad y mayor ancho de banda que los SSD tradicionales, lo que supone una nueva opción de almacenamiento para aplicaciones que hacen un uso intensivo de datos, como la inferencia de modelos de gran tamaño y la IA agentiva. SK hynix también ha posicionado claramente el HBF entre la HBM y los SSD para dar respuesta a las crecientes necesidades de capacidad y ancho de banda en la era de la inferencia de IA.
En segundo lugar, se espera que contribuya a que la infraestructura de IA logre un mejor equilibrio entre rendimiento y coste. En lugar de almacenar todos los datos de gran capacidad en HBM, que es una memoria de alto coste, el uso de HBF para almacenar algunos datos que requieren mayor capacidad y, al mismo tiempo, un ancho de banda relativamente elevado, podría reducir el coste total de almacenamiento del sistema y mejorar la eficiencia en el acceso a los datos.
En tercer lugar, podría fomentar una mayor colaboración entre los sectores de la NAND, el encapsulado avanzado, la interconexión de chiplets, los servidores de IA y otras industrias relacionadas, tanto en las fases iniciales como en las finales de la cadena de valor. La tecnología HBF implica el apilamiento de NAND de alta densidad, la unión de obleas, las interconexiones de alta velocidad y los mecanismos de lectura y escritura de software. Por lo tanto, su comercialización depende no solo de los propios chips de almacenamiento, sino también del avance conjunto de los chips de procesamiento, el encapsulado, los servidores y el ecosistema de software.
En general, la publicación de la primera especificación técnica de la OCP para HBF supone que esta tecnología ha superado la fase de desarrollo independiente por parte de proveedores individuales y ha entrado de lleno en las etapas de estandarización abierta, colaboración del sector y validación de productos. A través del marco abierto de la OCP, SK hynix, SanDisk, Google, Tenstorrent y otros participantes están impulsando conjuntamente el desarrollo de la especificación técnica, lo que proporciona una base técnica unificada para que los distintos proveedores exploren las aplicaciones de HBF.
A medida que avanzan las pruebas con muestras de productos, la validación del sistema y la adaptación al ecosistema, para determinar si HBF puede convertirse realmente en un nivel de almacenamiento importante en la era de la IA, aún es necesario seguir observando su rendimiento, coste y fiabilidad en sistemas reales de inferencia de IA. Sin embargo, una cosa está clara: a medida que la IA pasa del entrenamiento a la inferencia a gran escala, la arquitectura de almacenamiento tradicional “HBM + SSD” se enfrenta a nuevos retos en cuanto a capacidad y ancho de banda, mientras que el HBF se está convirtiendo en una de las principales vías que el sector está explorando para este nuevo nivel de almacenamiento.
