{"id":17877,"date":"2026-05-27T10:56:25","date_gmt":"2026-05-27T02:56:25","guid":{"rendered":"https:\/\/www.oscoo.com\/?p=17877"},"modified":"2026-05-27T10:58:07","modified_gmt":"2026-05-27T02:58:07","slug":"sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.oscoo.com\/de\/news\/sk-hynix-ihbm-a-new-path-for-ai-chip-heat-management\/","title":{"rendered":"SK Hynix iHBM: Ein neuer Weg f\u00fcr das W\u00e4rmemanagement von KI-Chips"},"content":{"rendered":"
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W\u00e4hrend KI-Modelle wachsen, Speicher mit hoher Bandbreite (HBM)<\/span><\/a> wird mit mehr Schichten und h\u00f6heren Geschwindigkeiten gebaut, um mithalten zu k\u00f6nnen. Dadurch steigt jedoch die W\u00e4rmeentwicklung, insbesondere in der physikalischen Schicht von Chip zu Chip (D2D PHY), der Schnittstelle, die die ultraschnelle Daten\u00fcbertragung zwischen HBM und dem KI-Chip \u00fcbernimmt. Dieser kleine Bereich wird zur hei\u00dfesten Stelle auf dem Chip. Herk\u00f6mmliches HBM zwingt die W\u00e4rme dazu, mehrere Schichten des Kernchips zu durchqueren, bevor sie entweichen kann, was ein langer und ineffizienter Weg ist. Wenn die W\u00e4rme nicht schnell abgef\u00fchrt wird, steigt die Chiptemperatur an und l\u00f6st eine Drosselung aus - ein Selbstschutzmechanismus, der die Leistung verringert. Die Behebung dieses W\u00e4rmeengpasses ist entscheidend, um die volle Leistung der n\u00e4chsten Generation von KI-Chips zu erschlie\u00dfen.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Kernkomponente und Funktionsweise des iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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SK Hynix hat eine L\u00f6sung f\u00fcr dieses W\u00e4rmeproblem vorgeschlagen, den integrierten Speicher mit hoher Bandbreite (iHBM). Der Kern dieser Technologie ist eine spezielle K\u00fchlkomponente, die in den HBM eingebettet ist. Diese Komponente wird ICE genannt. ICE wird aus einem Material auf Siliziumbasis hergestellt. Dieses Material hat gleichzeitig zwei wichtige Eigenschaften. Erstens hat es eine hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit, d. h. es \u00fcbertr\u00e4gt W\u00e4rme effizient. Zweitens ist es elektrisch isolierend, so dass es sicher zwischen dichten Schaltkreisen platziert werden kann, ohne Kurzschl\u00fcsse zu verursachen. Die ICE-Komponente wird direkt im D2D-PHY-Bereich platziert, wo die W\u00e4rme am st\u00e4rksten konzentriert ist und der Datenaustausch zwischen HBM und dem Prozessor am intensivsten ist.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Bei der herk\u00f6mmlichen HBM-Konstruktion muss die W\u00e4rme durch mehrere Kern-Die-Schichten geleitet werden, bevor sie den Chip verl\u00e4sst. Dieser Weg ist lang. iHBM \u00e4ndert diesen Weg. Durch die Verwendung der eingebetteten ICE-Komponente wird ein spezieller W\u00e4rmekanal im Inneren des Chips geschaffen. Die W\u00e4rme kann nun fast direkt von der Quelle zum Geh\u00e4use oder W\u00e4rmespreizer gelangen, ohne viele Funktionsschichten zu durchlaufen. Dadurch wird der W\u00e4rmepfad verk\u00fcrzt und der Widerstand, auf den die W\u00e4rme auf dem Weg trifft, verringert.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Aus Sicht der Fertigung basiert iHBM auf der bereits in Massenproduktion hergestellten MR-MUF-Technologie von SK Hynix f\u00fcr das Wafer-Level-Packaging. MR-MUF steht f\u00fcr Mass Reflow Molded Underfill, ein Verfahren, das eine hohe Produktionseffizienz und eine gute Ausbeute bietet. Durch das Hinzuf\u00fcgen des ICE-Komponenteneinbettungsschritts zu diesem bestehenden Prozess wird die Massenproduktion von iHBM m\u00f6glich.<\/p>\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

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Die wichtigsten Vorteile des iHBM<\/h2>\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
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Die iHBM-Technologie bietet durch die \u00c4nderung des W\u00e4rmepfads mehrere klare Vorteile.<\/p>