NAND 闪存发明于大约四十年前，现已成为广泛应用于电子设备的商品。由于 NAND 闪存可以在不耗电的情况下保留数据，因此非常适合内部和外部存储应用。与传统磁盘相比，NAND 闪存具有体积小、运行安静和稳定性高等优点。此外，由于闪存没有机械部件，因此抗震性更强。这些优势促使 NAND 闪存在各个市场得到广泛应用，并推动了不同类型 NAND 闪存的发展。NAND 闪存主要有四种类型：SLC、MLC、TLC 和 QLC。
SLC（单层电池）
SLC 是最高性能的 NAND 内存类型。每个存储单元只存储 1 位数据，这意味着每个单元只有两种状态：0 或 1。由于只需区分两种状态，SLC 的读写速度非常快。它还具有较长的写入耐久性，通常可达到 100,000 次编程/擦除循环。这使得 SL C 在数据可靠性和耐用性方面表现出色，适合需要高性能和高可靠性的应用，如工业用途、企业存储和高性能计算。
不过，SLC 的制造成本相对较高，因为每个存储单元只能存储 1 位数据，导致存储密度较低。因此，每千兆字节的成本较高，限制了其在大容量存储应用中的广泛使用。
MLC（多层单元）
MLC 是 SLC 的进化版，每个存储单元可存储 2 位数据，这意味着每个单元有四种状态：00、01、10 和 11。与 SLC 相比，MLC 的存储密度更高，因此每千兆字节的成本更低。不过，MLC 的写入和读取速度比 SLC 慢，因为它需要区分更多的状态。此外，MLC 的写入耐久性较短，一般为 3,000 到 10,000 个程序/擦除周期。
尽管在速度和耐用性方面不如 SLC，但 MLC 在存储容量和成本方面具有显著优势，因此适用于工业级和消费级固态硬盘（SSD）。
TLC（三级电池）
TLC 进一步提高了存储密度，每个存储单元可存储 3 位数据，这意味着每个单元有 8 种状态：000、001、010、011、100、101、110 和 111。与 MLC 相比，TLC 的存储密度更高，因此每千兆字节的成本更低。这使得 TLC 非常适合需要大存储容量的应用，如大容量固态硬盘、 USB 闪存盘 和存储卡。
不过，随着存储密度的增加，写入耐久性也会缩短，通常约为 500-1000 个程序/擦除周期。但对于大多数消费应用而言，TLC 的性能仍然足够。
QLC（四级单元）
QLC 是目前存储密度最高的 NAND 内存类型，每个存储单元可存储 4 位数据，即每个单元有 16 种状态：0000、0001、0010、0011、0100、0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011、1100、1101、1110 和 1111。QLC 通常具有较低的制造成本，因此对于需要超大容量且成本较低的存储设备而言，QLC 具有极大的优势。
QLC 的写入耐久性比 TLC 短，通常为 150 次左右的程序/擦除周期。但对于办公室和家庭使用来说，使用寿命已经足够。QLC 适用于需要超大存储容量但对价格要求较低的应用。
