全球技术行业广泛期待的下一代内存标准 DDR6 的路线图和商业化时间表已经敲定。通过与领先的 DRAM 制造商和处理器平台领导者合作，行业标准机构 JEDEC 确认，DDR6 内存将于 2026 年在高端设备中首次亮相，并于 2027 年进入大规模采用阶段。这一进步旨在大幅提高计算效率，满足人工智能和高性能计算日益增长的需求。
突破性能
与当今主流 DDR5 DDR6 内存的核心性能实现了跨时代的飞跃。其基本数据传输速率从 8,800 MT/s 开始，最高可达 17,600 MT/s。专业超频模块的目标速度可超过 21,000 MT/s。在架构上，DDR6 以四路 24 位子通道配置取代了 DDR5 的双路 32 位子通道设计。这种结构调整大大提高了并行数据处理能力和带宽效率，但对系统的信号完整性提出了更高的要求。
新物理标准：CAMM2 接管
DDR6 采用新的 CAMM2 连接器标准，取代了沿用几十年的 DIMM 和 SO-DIMM 插槽。CAMM2 设计可实现更高的模块密度、更低的电气阻抗和更薄的物理外形。主要硬件供应商已经展示了 64GB CAMM2 原型，解决了 DDR5 插槽固有的容量瓶颈问题。
透明生产时间表：2026 年发射，2027 年扩建
DDR6 目前正处于技术验证阶段。顶级 DRAM 供应商--三星电子、SK 海力士和美光科技--已完成原型芯片设计，并正在与英特尔和 AMD 合作进行平台级接口测试。JEDEC 于 2024 年底完成了 DDR6 规范草案，并将于 2025 年第二季度发布 LPDDR6 标准（其低功耗变体）。平台认证将于 2026 年开始。
支持 DDR6 的下一代 CPU（如英特尔和 AMD 的服务器和高端移动处理器）将于 2026 年推出，用于人工智能服务器、高性能计算集群和旗舰笔记本电脑。消费者市场将在 2027 年广泛采用。
供应商加速生态系统发展
内存领导厂商正在为 DDR6 的到来进行战略布局。三星电子正在利用其先进的 1c DRAM 工艺为 LPDDR6 量产做准备，据说在热应力测试中达到了可接受的良品率。三星计划在 2025 年底之前向高通公司的 Snapdragon 8 Elite Gen 2 等移动平台供应 LPDDR6 芯片。美光和 SK 海力士正在为下一代产品（包括 HBM4）采用相同的工艺，以提供全面的人工智能内存解决方案。
生态系统合作伙伴也在同步推进。Synopsys 等控制器公司以及高通（Qualcomm）和联发科（MediaTek）等移动芯片组开发商已开始对 LPDDR6 进行硬件适配。这将加速边缘人工智能设备的开发。Longsys等模块制造商正在开发LPCAMM2产品，以满足未来个人电脑和移动设备对高性能、高密度内存的需求。
关键驱动因素：人工智能扩展和数据中心升级
DDR6 和 LPDDR6 的发展受到两个关键趋势的推动：首先，生成式人工智能应用正在迅速扩展到边缘设备。LPDDR6 的高带宽和超低功耗对于运行本地化大型语言模型的智能手机、平板电脑和笔记本电脑至关重要。其次，全球数据中心正在经历重大升级周期。2025 年，DDR5 服务器的渗透率将达到 65%，而 DDR6 的高性能和可扩展性将更好地支持需要巨大内存带宽的人工智能培训和 HPC 工作负载。
结论：重塑竞争格局
DDR6 过渡将加速行业竞争。中国的 CXMT 计划到 2026 年实现 LPDDR5X 量产，这将迫使三星、SK 海力士和美光加快 LPDDR6 部署。CAMM2 模块的采用仍面临供应链成本和替代传统 DIMM 插槽的挑战。不过，CAMM2 预计将重新定义整个行业的内存外形尺寸.
